世界に先駆けたシリコンゲルマニウム・トランジスタの量産を開始

ＮＥＣ（ＮＥＣエレクトロンデバイス）はこのたび、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）技術を用いた、高性能超高周波トランジスタ「２ＳＣ５７６１」を製品化し、本日からサンプル出荷を開始いたします。

新製品のサンプル価格は３０円となっており、量産は平成１３年４月から、月産２５０万個で開始する予定ですが、平成１３年中には月産３０００万個まで生産規模を拡大する計画であります。

新製品は、ＮＥＣが独自に開発したＳｉＧｅ−セルフ・アライン・プロセス「ＵＨＳ２」（遮断周波数：ｆＴ＝６０ＧＨｚ，最大発振周波数：ｆｍａｘ＝６０ＧＨｚ）を採用しております。また、パッケージにおいても寄生成分を極小化し、高周波性能を最大限に発揮できる小型薄型パッケージに搭載し、小型化と高性能化を同時に実現しております。

これにより、シリコン・トランジスタでは１．０ｄＢを切ることが困難であった雑音指数（ＮＦ）を０．９ｄＢに抑え、電力利得（Ｓ２１）については１４．５ｄＢと当社シリコン・トランジスタ比で２ｄＢ（１．６倍）向上させております。（周波数：ｆ＝２ＧＨｚ、コレクタ・エミッタ間電圧：Ｖce＝２Ｖ、コレクタ電流：Ｉｃ＝３ｍＡ）。

近年のマルチメディア及び移動体通信市場は、益々その発展のスピードを早めております。今後立ち上がるＷ−ＣＤＭＡなどの携帯端末では、より大容量のデータを高速に送信・受信・処理する必要があり、受信感度の向上が必須となっております。このため、これらの機器に搭載されるデバイスとしては、低消費電力、低雑音・低歪み特性が必要になります。これに応える新デバイスとして、通常のシリコンと同等コストで低雑音・低歪みを実現しうるＳｉＧｅ技術を使ったバイポーラトランジスタが有望視されております。また、携帯端末に搭載される為、小型であることも必要となっております。

ＮＥＣでは、このような市場のニーズに応えるべく、かねてからＳｉＧｅを使ったデバイスの研究を進めております。特に、平成１１年からＮＥＣ山形（本社：山形県山形市、社長：青山宏）鶴岡東工場（山形県鶴岡市）にＳｉＧｅデバイスの開発部門を設置するとともに量産ラインを構築し研究・開発から量産までの一貫体制を敷くことにより、製品の早期市場投入を実現しました。

ＮＥＣは、このＳｉＧｅトランジスタが、今後ますます市場拡大が期待されるマルチメディア及び移動体通信システム等における高周波ブロックのキーデバイスと考えております。今後、本技術を基盤に更なる商品ラインアップの拡充を図り、多様な市場のご要望に応えて参ります。

なお、新製品の主な仕様は別紙をご参照下さい。

以　上