モバイル機器に最適な低消費電力メモリの発売について

「μＰＤ４６１６１１２」

ＮＥＣ（ＮＥＣエレクトロンデバイス）はこのたび、携帯電話やＰＨＳに代表される、小型化・大容量化・低価格化が必要とされるモバイル機器向けに、世界初のローパワーＳＲＡＭ端子配置互換かつ機能互換の１６ＭビットＳＲＡＭ互換ＲＡＭ「μＰＤ４６１６１１２」を製品化し、本年１０月からサンプル出荷を開始いたします。

新製品の主な特長は、以下の通りであります。

1. ＤＲＡＭプロセスの採用により、１６Ｍビットという大容量のメモリを、２１．８平方ｍｍという小さなチップサイズで実現。

2. 非同期ローパワーＳＲＡＭと端子配置が互換であるのはもちろんのこと、機能上でも互換を実現。

3. 通常時スタンバイ電流１００μＡ、Ｐｏｗｅｒ　Ｄｏｗｎモード時スタンバイ電流１０μＡと低消費電流を実現。

新製品のサンプル価格は４０００円／個となっており、生産規模としては２００１年３月以降、月産１００万個を計画しております。

近年、携帯電話やＰＨＳではインターネット接続・画面のカラー化・音楽配信サポート・動画配信等、次々に新しいサービスが追加されており、これらに対応するためにＲＡＭ容量の大容量化・低価格化が望まれております。しかしながら、シンクロナスＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）に代表されるＤＲＡＭ製品は大容量化・高速化では優れているものの、動作電源電流値およびスタンバイ電源電流値が大きすぎるため、携帯電話やＰＨＳではほとんど採用されておりません。一方、ＲＡＭ容量の大容量化の要望により、従来から携帯電話やＰＨＳで用いられているローパワーＳＲＡＭも大容量化が進んでおり、既に８Ｍビット品まで製品化されておりますが、さらなる大容量化が望まれております。ところがＳＲＡＭは、メモリ・セルとして６素子を使用していることから、１６Ｍビット以上の大容量品ではチップ・サイズが大きくなり、チップ単価が高価になってしまうため、携帯電話に採用するには高価すぎるということが懸念されております。ＮＥＣではこれらの問題を解決し、携帯電話やＰＨＳ等のモバイル機器ベンダーのニ−ズに応えるべく、本製品を開発致しました。

新製品の主な特長は次の通りとなっております。

１．	１６Ｍビットという大容量を小型チップで実現

大容量ＤＲＡＭで用いているプロセスおよびメモリセルを転用することで、１６Ｍビットという大容量品を、２１．８平方ｍｍという小さなチップサイズで実現している。

２．	非同期のローパワーＳＲＡＭと端子配置互換かつ機能互換

本製品にはＤＲＡＭセルを用いているためＤＲＡＭ特有のメモリ・セルのリフレッシュ動作が必要になるが、このリフレッシュ動作をチップ内部で自動的に行う構成にし、外部からリフレッシュ動作を制御する必要を無くすことで、ローパワーＳＲＡＭと機能上の互換を実現。また、４８ピンＦＢＧＡ１６ビットＩ／ＯのローパワーＳＲＡＭ製品とボール・サイズ、ボール配置位置および端子配置を同一にし、端子配置互換を実現。これらにより、ローパワーＳＲＡＭからの置き換えが容易である。

３．

低消費電力化

ビット線分割などのアレイ部最適化による充放電電流削減、および電源回路の消費電流削減等によりスタンバイ電流１００μＡを実現。さらに消費電流を抑えたい場合を考慮し、Ｐｏｗｅｒ　Ｄｏｗｎモードを搭載することで、スタンバイ電流を１０μＡまで低減できる。

ＮＥＣでは、３２Ｍ／６４Ｍ／１２８Ｍとさらに大容量のローパワーＳＲＡＭ互換ＲＡＭの開発および、これらの製品のチップとフラッシュ・メモリのチップと組み合わせたＳ−ＭＣＰ（Stacked Multi Chip Package）製品の開発を検討しており、両製品ライン・アップの拡充により、お客様のニーズに応えるべく努力していきます。

なお、新製品の主な仕様は別紙をご覧ください。

以　上