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ニュースリリース(研究、開発、新技術)

ニュースリリース(研究、開発、新技術)
2008年 9月 3日
トランジスタの特性変動を高精度に予測するLSI設計手法の開発について
2008年 7月10日
携帯電話の入力キーを効率よく明るく照らす「導光シート」の発売について
2008年 6月20日
45/40ナノプロセスを採用したトランジスタの特性ばらつき低減技術を開発
2008年 6月19日
世界初、Low-k/Cuダイレクトコンタクト配線構造の形成技術を開発
2008年 6月17日
次世代低消費電力システムLSI向けメタルゲート技術を開発
2008年 6月 4日
超高信頼・低抵抗Cu配線を実現する新ルテニウムバリア構造を開発
2008年 6月 3日
最先端LSIのノイズ抑制に不可欠なオンチップHigh-k MIM容量形成技術を開発
2008年 5月28日
6.25Gbps以上の高速信号転送を可能にするパッケージ設計技術の開発について
2008年 4月22日
大学との共同研究の開始について
2008年 2月21日
通信用光半導体の主要メーカ6 社が、40Gbit/s ソリューションに向けた光デバイスの共通仕様(XLMD-MSA)を公開
2008年 2月 5日
多様な無線規格に1チップで対応可能なソフトウェア無線用のアナログベースバンドLSI技術を開発
2007年12月13日
完全Low-k化した層間絶縁膜適用モジュールによる低電力LSI配線を実現
2007年12月11日
最先端LSIを低電力・高性能化するチャネル構造設計技術を開発
2007年12月11日
32ナノ世代以降も導入可能な電気ヒューズ技術の開発について
2007年11月27日
32ナノメートル世代のシステムLSIプロセス技術の共同開発について
2007年11月19日
40ナノメートルのDRAM混載システムLSIのプロセス技術を開発
2007年 9月19日
45ナノメートル世代の高速通信用システムLSIに向けたオンチップ静電気保護回路を開発
2007年 9月18日
45ナノメートル世代に向けたオンチップ静電気保護技術の確立
2007年 7月 4日
低消費電力化技術を結集した携帯電話向けシステムLSI「M2」の発売について
2007年 6月15日
微細トランジスタ特性のばらつきがLSI回路動作に及ぼす影響を高精度に予測する技術を開発
2007年 6月14日
無線IPコアのデジタル化を推進するデジタル無線技術を開発
2007年 6月11日
短期間かつ低コストでシステムLSIを実現する45ナノノードトランジスタ形成技術を開発
2007年 5月31日
65ナノメートルプロセスのチップを搭載した超薄型フリップチップBGAパッケージ技術の開発について
2007年 3月26日
通信用光半導体の主要メーカ6社が40Gbit/sソリューションに向けた小型光デバイスの仕様共通化(XLMD-MSA)で合意
2006年12月14日
サーバー並の大容量メモリの搭載を可能にする積層メモリパッケージ技術の開発について
2006年12月14日
45nm世代高性能システムLSIの量産技術を開発
2006年12月 8日
32nm世代LSIの多層配線を世界に先駆けて試作し、基本性能を実証
2006年12月 1日
90ナノノード以降の多電源システムLSIにおける静電気放電保護技術の開発について
2006年12月 1日
65nm世代以降のシステムLSIの設計に不可欠な設計手法を開発
2006年11月 7日
業界で初めて設計ルール55ナノメートルを実現したDRAM混載LSI技術の開発について
2006年 8月25日
高並列処理技術を導入した車載向け画像認識用プロセッサの発売
2006年 7月31日
5千万トランジスタを超える超大規模高速動作LSIの設計期間を大幅に短縮する設計手法を開発
2006年 6月16日
55ナノ以降のシステムLSIを実現するトランジスタ形成技術を開発
2006年 6月13日
45nm以降の先端半導体に関する標準化に向けて合意
2006年 5月10日
当社のDRAM混載LSIが任天堂の新しい家庭用ゲーム機「WiiTM(ウィー)」に搭載
2006年 2月 9日
先端LSI設計・開発を支援する 世界最高精度のLSI内クロック信号品質測定技術を開発
2006年 2月 1日
45ナノメートル世代のシステムLSIプロセス技術の共同開発について
2005年12月 8日
信頼性と低電力性に優れた45nm世代のLSI配線技術を開発
2005年12月 7日
45nmLSIの多層配線構造を最適化する技術の開発について
2005年12月 5日
55nmノードCMOSロジックプロセス技術の開発について
2005年12月 5日
ゲート長10nm未満トランジスタの性能を改善する新技術を開発
2005年11月 9日
45ナノメートル・システムLSIプロセス技術の共同開発
2005年 6月20日
65nm世代LSIを低消費電力化するデバイスおよび回路技術について
2005年 6月15日
45nm世代LSIに対応した分子細孔法による新層間絶縁膜の開発
2005年 4月27日
DRAM混載LSIのマイクロソフト社 次世代Xboxプラットフォームへの採用について
2005年 3月 9日
90 nm世代のシステムLSIにおけるDRAM混載技術の開発について
2005年 2月25日
LSI間超高速インタフェース技術の開発について
2005年 2月14日
ラムバスからシリアルリンクインタフェイス技術を導入
2005年 2月10日
45nm世代以降の超高速SRAM技術
2004年12月17日
メタルゲート電極とHigh−Kゲート絶縁膜によるトランジスタの開発
2004年 9月15日
High-Kゲート絶縁膜トランジスタの実用化に向けた長期信頼性を実現
2004年 6月18日
65nmノード向けに高速・低電力化したVLSI多層配線技術
2004年 6月17日
65nmルールの次世代LSIにおける低消費電力化を実現する技術
2004年 6月 8日
システムLSIの開発期間を大幅に短縮するソフトウェア検証システムの開発について
2004年 3月25日
トランスメタと低消費電力技術において戦略的協業で合意
2003年12月17日
65nmLSI配線の信頼性向上と低消費電力化を実現する層間絶縁膜の高性能化技術を開発
2003年12月12日
高速動作と低消費電力を実現する65nmCMOSトランジスタ技術の開発
2003年 6月17日
サブ0.1μm低消費電力デバイスを実現する高移動度High−Kゲートトランジスタを開発 (NEC)
2002年12月16日
130nmDRAM混載ロジックLSIのサンプル出荷を開始
2002年 2月 4日
システムLSIへの搭載に適した超高速インタフェースIPコアの開発について
2000年10月30日
最先端プロセスを採用したシステムLSI設計基盤「CB−130」の発売〜世界で初めてゲート長0.10μmを切る「UX5」プロセスを採用〜
1999年10月 4日
世界最先端のシステムLSIプロセスの開発について


 
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