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世界最小クラスのリチウムイオン二次電池向けパワーMOSFETの発売について


〜携帯電話やデジタルカメラのバッテリー保護に最適〜



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2006年3月27日 NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクスはこのたび、携帯電話やデジタルカメラなどのバッテリーであるリチウムイオン二次電池の保護用途に用いられるパワーMOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor: 金属酸化膜半導体型電解効果トランジスタ)2品種を製品化し、本日よりサンプル出荷を開始いたしました。
新製品はオン抵抗標準値()が28ミリオームの「μPA2350」および同32ミリオームの「μPA2351」の2品種で、いずれも1.62ミリメートル角で厚さ0.48ミリメートルの超小型パッケージ化を実現しているため、携帯電話やデジタルカメラなどの電池パックの小型化に大きく貢献できる製品となっていることが最大の特長であります。また、鉛フリー、ハロゲンフリーを実現した環境保全を考慮した製品となっているなどの特長も有しております。
新製品のサンプル価格は、「μPA2350」が一個50円、「μPA2351」が同70円となっております。また当社では新製品の量産時期は2006年8月、量産規模は2品種合計で月産1000万個を予定しております。また、2008年には月産2000万個規模の生産を計画しております。


リチウムイオン二次電池はエネルギー密度が高いことから、小型・軽量・長時間動作を要求されるモバイル機器に最適な電源として広く使用されており、2006年以降においても年率20%を超える高成長が見込まれる製品です。そのリチウムイオン二次電池には過充電や短絡での事故を防ぐための保護回路が備えられておりますが、この保護回路を形成する重要部品のひとつがパワーMOSFETであります。
当社は1992年にリチウムイオン二次電池向けMOSFETの分野に参入して以来、積極的な製品展開をはかっており、全世界シェアの50%以上を有するなどユーザーから好評を博しております。当社はこの製品分野でも積極的な開発活動を続け、このたび世界最小レベルの新製品2品種を発売するものであります。
新製品の特長は以下の通りであります。


(1)

業界最小クラスの小型化を実現
当社の最新第4世代UMOSプロセス技術およびCOB製造技術を併用することにより、従来は両立しなかった低オン抵抗性能を維持した状態で製品の小型化を実現している。従来この用途に使用されている8ピンTSSOP(Thin Shrink Small-Outline Package)製品との比較において実装面積を86%削減できる。また、当社従来製品の6ピンHWSON(Heatsink Very Very thin Small-Outline Non-lead package)製品比較においても、実装面積を73%削減している。また0.48mmと厚みも非常に薄型を実現している。
さらに、CSPの底面にあるバンプ端子を基板に接続するため、素子外に接続用エリアを設ける必要がなく、素子周辺に接続エリアが必要なCOB (Chip On Board)より小型に実装することができる。

(2)

環境保全に配慮
バンプ端子を含めて鉛(Pb)を使用しておらず、業界で標準化されつつある鉛フリーに対応した環境に優しい製品となっている。さらに、ハロゲンフリーも実現している。


当社は、新製品が電池メーカーのパック小型化に貢献することで、携帯電話をはじめとするモバイル機器ユーザーの快適な利用環境を実現するものと考えており、これらを必要とする応用分野に向けて積極的な販売活動を展開することにしています。また今後もユーザーのニーズに応える電池保護用MOSFETを引き続き開発し、製品ラインアップの拡充をはかっていく所存です。
新製品の主な仕様については別紙をご参照下さい。


以上


(注)

オン抵抗値:
MOSFETがオン状態での電気抵抗値。抵抗が小さいほど損失が少ない。




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その後予告なしに変更されることがございますので、あらかじめご承知ください。


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