世界最高レベルの低雑音化に成功したGPS用高周波低雑音増幅器の製品化について

μPC8230TU, μPC8231TK

ＮＥＣ化合物デバイス株式会社(社長：峰尾 秋良、本社：川崎市)はこのたび、GPS(Global Positioning System)受信機向け高周波低雑音増幅器として、シリコンゲルマニウムカーボン・ヘテロジャンクション・バイポーラ・トランジスタ(SiGe:C HBT)プロセス技術を採用した製品2品種の開発を完了し、本日よりサンプル出荷を開始いたしました。
新製品は、低雑音に特化した「μPC8231TK」および出力整合回路を内蔵した「μPC8230TU」で、いずれも当社が独自で開発したSiGe:C HBTプロセス技術を採用しているため、シリコンを材料とした高周波用ICとしては、世界最高レベルの低雑音特性を達成していることが最大の特長となっております。また、これらの製品は超小型パッケージに封入されているため、ユーザーはこの新製品を用いることで、セット製品におけるGPSの受信感度の向上、低消費電力化および小型化を図ることが可能になります。
新製品のサンプル価格は、「μPC8231TK」が70円/個、「μPC8230TU」は90円/個となっており、量産時期および規模としては、2006年2月よりそれぞれ月産100万個を予定しております。

近年、携帯電話をはじめとする携帯端末機器市場においては、小型化、低消費電力化に加え、多機能・高性能化が著しく進んでおります。特に日本国内では2007年4月以降に総務省指導のもと第3世代携帯電話へのGPS受信機の搭載が求められる様になり、GPS受信機分野における技術開発競争が激化しております。
当社は、GPS受信機の構成に欠かせない低雑音増幅器の分野において、シリコントランジスタのベース層に、少量のゲルマニウムを加える事で結晶内の電子の速度を上げ、高周波化を実現した「シリコンゲルマニウム・へテロジャンクション・バイポーラ・トランジスタ（SiGeHBT）技術を用いた製品を投入し、市場から好評を博しておりました。しかしながら、技術革新は留まるところを知らず、競争が激化したため当社は、より一層の開発を推進してまいりました。その結果、シリコンゲルマニウムのベース層に少量のカーボンを加え、更にベース層の抵抗を下げることで雑音を抑制することが可能なSiGe:C HBT技術の開発に成功したものです。

新製品はこの技術を具現化したのもので、主な特長は次の通りとなっております。

2品種の共通の特長

(1)SiGe:C HBTプロセスを採用

シリコンゲルマニウムのベース層に少量のカーボンを加え、更にベース層の抵抗を下げることで雑音特性を向上させたプロセスを採用している。

(2)静電耐量が高く、高い信頼性を確保

ESD(注)保護対策を施すことにより静電気の放電による故障を防止している。

(3)バイアス回路を内蔵

バイアス回路を内蔵しているため、電源電圧変動、周囲温度変動に対して特性の安定化が図れ、低雑音増幅器の性能を安定して得られる。

(4)超小型リードレスミニモールドパッケージを採用

超小型リードレスミニモールドパッケージを採用しているため、ユーザーセットの小型化に貢献できる。

「μPC8231TK」の特長

(5)世界最高レベルの低雑音特性を実現

GPS受信機で使用される周波数(1575MHz)において、従来品比0.4dBの改善を実現し、雑音指数「0.80dB」という世界最高レベルの低雑音性能を達成している。

「μPC8230TU」の特長

(6)出力整合回路を内蔵

低雑音増幅器を構成する場合、一般に入力側と出力側に整合回路を必要とするが、このうち従来は外付け部品3点によって構成されていた出力側の整合回路を内蔵した。その結果部品数を4個から１個に削減している。

当社は、新製品の市場投入によりGPS受信機の性能向上が図れるものと考えており、これらを必要とする応用分野に向けて積極的な販売活動を展開するとともに、本プロセスを採用した製品の品種拡充を図ることにしております。
また当社は、新製品およびその関連製品を本年11月9日からパシフィコ横浜で開催されるマイクロウェーブ展にて展示いたします。

新製品の仕様については別紙をご参照下さい。

＜本件に関するお客様からの問い合わせ先＞
NEC化合物デバイス株式会社　営業本部 営業基盤技術
電　話 : (044)435-1249(直)
FAX : (044)435-1918
E-Mail : techinfo@ml.ncsd.necel.com

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