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ＮＥＣエレクトロニクス(社長：戸坂馨、本社：神奈川県川崎市)はこのたび、130ナノメートル(10億分の1メートル：nm)プロセス(ゲート長：95nm)を用いたDRAM混載ロジックLSI技術の開発を完了し、当月よりCB-130としての受注を開始することに致しました。主なターゲット市場は高速通信機器、サーバー、高性能グラフィックス機器などです。

UX5Dの主な特徴は以下の通りです。
	(1)314MHz(1.2Ｖ・標準動作時) の高速ランダムアクセス動作
		130nm世代では他社比2倍以上の速度となっており、高速データ転送実現に大きく寄与致します。
	(2)大容量高速混載メモリの実現
		高速内蔵メモリとしてはこれまでSRAMが使われていました。しかしセルサイズ及び消費電力が大きいため、１チップに内蔵出来るメモリ容量に限界がありました。今回の技術では同じ面積でSRAMに対し5倍以上のメモリを１チップに搭載可能で、消費電力も１桁小さくすることが可能です。これらの優位性は、システムLSIの性能改善に大きく寄与します。
	(3) CB-130(当社の130nm システムLSI設計環境) との完全互換
		従来のDRAM混載技術は、汎用DRAMのラインを使用せざるを得ない理由から、CMOSトランジスタの互換性確保は事実上不可能でした。今回の技術では、DRAMのセル構造を改良したことで、既存CMOSラインでの一貫生産が可能となり、弊社のセルベースASIC CB-130との完全互換を実現しています。このことにより、お客様は弊社の標準CADツールであるOpenCAD^(R)上でDRAM混載ASICの設計が可能となり、チップ開発にかかわる負荷が最小限に抑えられます。
	(4) SRAM動作に準拠したマクロ動作
		システムLSIでは設計の容易さから内蔵SRAMが広く一般的に使われています。そのためSRAMとほぼ同じ動作となるように最適設計したマクロを準備しており、お客様側にとって容易な設計環境を提供しております。

ＮＥＣエレクトロニクスでは、当月より受注を開始し、来年中旬に量産出荷を予定しています。

高速通信機器、サーバー、高性能グラフィックス機器の性能は、ロジック回路とメモリと間のデータ転送レートに大きく依存します。外付けメモリの場合には、システムLSIとメモリを繋ぐピン数及び入出力素子のパワーが性能を制限してしまいます。一方、メモリ内蔵の場合は上記制限は無くなりますが、チップサイズの制限からメモリ容量に対する制限が出てきます。したがって、このような製品においては如何に高速で大容量のメモリをチップ内に混載できるかが重要なポイントとなっています。
弊社では、これらの要求に対応するため、DRAMの構造及び構成する素子としてMIM(Metal-Insulator-Metal、注1) 容量技術を中心とする、FMD(Full Metal DRAM、注2) 技術を実用化し、上述のような高速でかつ大容量のDRAMを既存の設計環境に親和性のある形で搭載することに成功いたしました。
NECエレクトロニクスでは、進化する技術要求に応えるべく、今後もより高性能のDRAM混載技術の開発を進めてまいります。

以上

（注１）

容量素子は、絶縁膜(Insulator)の上下を電極で挟んだ構造を持っています。　通常、この電極の材料は多結晶シリコン膜が使われていますが、弊社では金属膜(Metal)を使用しています。絶縁膜にも容量値を大きく取れる酸化タンタル膜(Ta2O5)を用いています。これらの技術により従来比2倍の容量密度を実現しています。

（注２）

弊社のDRAMセルは容量絶縁膜以外のコンポーネントのすべてに金属材料を適用しています（一般的には、多結晶シリコン膜が主材料です）。そのため弊社でFull Metal DRAMと呼んでいます。金属材料は多結晶シリコンに比べて抵抗値が一桁以上低いことから、高速動作に非常に適しています。

*　本製品についての情報は、以下URLでも提供しております。
http://www.necelam.com/eDRAM

＜この発表に関するお客さまからの問い合わせ先＞

ＮＥＣエレクトロニクス　半導体テクニカルホットライン

電　話　(044)435-9494(直)

FAX　(044)435-9608

e-mail: info@lsi.nec.co.jp


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