５ＧＨｚ対応ＳｉＧｅトランジスタを世界で初めて製品化

「NEC化合物デバイスSiGeトランジスタ」

NEC化合物デバイス(代表取締役社長:峰尾秋良、所在地:神奈川県川崎市)はこのたび、無線LANや移動体通信などの無線通信機器向けの高周波信号増幅に最適なシリコン・ゲルマニウム・トランジスタ(SiGeHBT(注1))3品種の開発を完了し、本日からサンプル出荷を開始いたします。

新製品はNEC化合物デバイスが独自に開発したSiGeHBT半導体プロセス技術を駆使し、世界最高レベルの高耐圧・低雑音・高利得を実現したもので、主な特長は以下の通りであります。

	(1)	無線LANに最適な5GHz帯対応製品をシリコン・ゲルマニウム・トランジスタとして世界で初めて実現(NESG2021M05、NESG2031M05)し、ガリウムヒ素(GaAs)製品の約半分の価格で提供可能。
	(2)	動作電圧を制限する要因であるコレクタ・エミッタ間耐圧を当社従来製品に比べ約1.5倍となる5Vまで向上。これにより、幅広い応用分野で顧客の回路設計の自由度を拡大。
	(3)	低雑音・高利得タイプ2品種(NESG2021M05、NESG2031M05)と中出力タイプ1品種(NESG2101M05)をラインナップし、顧客のニーズに最適な製品を提供。

新製品のサンプル価格は以下の通りであります。

製品	特徴	サンプル価格(円/個)
NESG2021M05	低雑音、高利得、低電流	30円
NESG2031M05	低雑音、高利得	30円
NESG2101M05	中出力、低歪み	50円

新製品は本年9月から100万個/月の生産規模を予定しており、来年3月には1000万個/月に生産を拡大する計画であります。

マルチメディア無線機器市場では、面倒な配線が不要な無線LANを使ったインターネット接続やワイヤレス接続機器への関心が高まっております。近年のブロードバンドコンテンツの普及にともない、機器間でやりとりする情報量も拡大し、使用される周波数帯は2GHz帯から、より情報伝送量の大きい5GHz帯へと移行する傾向にあります。
従来のシリコンデバイスは高周波性能の向上にともなって耐圧が低下するという課題があり、このような高周波数帯での使用には適しておりませんでした。新製品は、NEC化合物デバイスが独自に開発したSiGe-セルフアライン(注2)プロセス「UHS2」をもとに、選択的エピタキシャルベース成長(注3)の最適化による寄生抵抗及び寄生容量(注4)の低減と耐圧制御技術を採用することによって、動作周波数範囲を広げながら耐圧を高めました。
新製品は、5GHz帯無線LANや、ITSなどのデータ通信、また携帯電話やコードレス電話、衛星放送などの増幅器や発振器に最適なデバイスとして機器の小型化、高性能化、低消費電力化に貢献する製品であります。
NEC化合物デバイスは今後、さらなる高性能化による商品ラインナップの拡充を図り市場ニーズに応えてまいります。

なお、新製品の主な仕様は別紙をご参照下さい。

＜本件に関するお客様からの問い合わせ先＞

NEC化合物デバイス株式会社 営業本部 販売技術グループ

FAX: (044)435-1918

E-Mail: techinfo@ml.ncsd.necel.com

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