中空プラスチックパッケージを世界で初めて採用したＷ−ＣＤＭＡ基地局用トランジスタの発売

「NEC化合物デバイス240WGaAsFET「NES1823M-240」」

NEC化合物デバイス(代表取締役社長:峰尾 秋良、所在地:神奈川県川崎市)はこのたび、世界トップクラスの出力電力をプラスチックパッケージで実現したW-CDMA携帯電話基地局送信装置の最終段増幅器向け高周波電力増幅用GaAsFET(ガリウムヒ素電界効果トランジスタ)「NES1823M-240」の開発を完了し、本日からサンプル出荷を開始いたします。

新製品の主な特長は以下の通りであります。

1. トランジスタの電力効率を高め、低歪み化を実現するヘテロ接合プロセスと2倍波処理回路の採用により、従来製品比1.7倍の240Wという世界トップクラスの出力電力と高利得(12dB)、高付加効率(45%)を実現
   
   
2. 中空構造をとることで、樹脂の充填による高周波特性への影響を無くし、低コストでセラミックパッケージ並みの特性を実現した新規開発の中空プラスチックパッケージを採用

新製品のサンプル価格は3万6千円/個となっており、平成14年4月から月産3000個で量産を開始し、平成15年4月には月産2万個まで生産規模を拡大する計画であります。

近年のモバイル・マルチメディア市場は、その発展のスピードを早めており、次世代移動体通信として普及を始めたW-CDMA携帯電話対応では情報伝送速度が最大200倍まで向上するため、基地局送信装置は従来に比べて高送信出力電力、低歪み特性、省電力性を求められております。そのため携帯電話基地局送信機に搭載されるパワーアンプとその構成要素であるパワーデバイスにも高出力で高効率な製品が強く求められております。
NEC化合物デバイスでは、このようなニーズに応えるため、増幅器内で発生する信号の歪みの発生量を低減し、通信品質を向上する2倍波処理回路技術とヘテロ接合プロセスとを駆使した新製品を市場に投入いたします。

なお、新製品の主な仕様は別紙をご参照下さい。

＜本件に関するお客様からの問い合わせ先＞
NEC化合物デバイス株式会社　営業本部 販売技術グループ

FAX　（044）435-1918

E-Mail techinfo@ml.ncsd.necel.com

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