トランジスタの使い方

0001:	熱設計
0201:	温度特性
0002:	捺印
0004:	ベース電流の最大定格
0101:	表面実装用マウント・パッド
0301:	コンプリメンタリ使用
0302:	周波数特性
1201:	スイッチング特性
0303:	Vceo逆電圧
0601:	VceoとVces
0401:	周波数による分類
0501:	静電気耐量
0702:	hFE劣化
1301:	過渡熱抵抗特性グラフ
0801:	放熱板なしとはどのような実装状態
1001:	放熱板
0802:	Ｌ負荷時の外付けダイオード
0901:	同一パッケージで全損失が異なるのは？
0902:	コレクタ電流の最大定格
1101:	動作領域
1401:	差動増幅用
1402:	抵抗内蔵トランジスタのベース電流値

tr -0001	熱設計

2SD1899-Z(MP-3) の全損失が 1.0W の時、ケース表面温度が 80℃になりました。
この時のジャンクション温度は何度になりますか？

2SD1899-Z(MP-3)のジャンクション - ケース間熱抵抗 Rth(j-c) は、12.5℃/W です。よって、ケース温度 80℃、全損失 1.0Wの場合のジャンクション温度は、下記計算式で求められます。

80 [℃] + 12.5 [℃/W] * 1.0 [W] = 92.5 [℃]

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tr -0201	温度特性

Q1	データ・シートにVBEの低温及び高温時のデータが載っておりません。 VBEの温度特性を教えてください。
A1	VBEの温度特性はPNジャンクションの温度係数(－2mV/℃)で決まります。 (2004/07)
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Q2	コレクタ遮断電流I_CBOの温度による変化量はどの程度になりますか？
A2	I_CBOの温度特性は、ほぼ10℃上昇するごとに２倍の変化を示します。 (2005/12)
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Q3	h_FEの温度特性を教えてください。
A3	h_FEの温度特性は、ほぼ0.5～1.5%/℃です。回路設計の際には、特に低温でのh_FE減少を考慮する必要があります。 (2005/12)
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		(2005/12)

tr -0002	捺印

『 L4 』と捺印されている製品は何でしょうか？

トランジスタの 2SC1623 です。
2SC1623 など３ピン・ミニ・モールド・パッケージは小型パッケージのため、現品には hfeランク名を表示しております。

参考：2SC1623 hfeランク

捺印	L4	L5	L6	L7
hfe	90～180	135～270	200～400	300～600

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		(2005/03)

tr -0004	ベース電流の最大定格

Q1	小信号用トランジスタでは、絶対最大定格でベース電流を規定していませんが、どのくらい流せるのですか？
A1	Ibの最大定格としての考え方は、Ib ≦ (1/10)Ic とみなすのが一般的です。コレクタ電流の絶対最大定格を元にご確認ください。
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		(2004/01)

tr -0101	表面実装用マウント・パッド

Q1	表面実装用トランジスタの推奨マウント・パッドはありますか？
A1	パッケージごとに異なりますので、下記Web ページで該当パッケージ名のマウント・パッドをクリックして参照してください。 http://www.necel.com/discrete/ja/package/smd.html なお、RF/マイクロ波デバイスについては、下記ページに掲載の「高周波およびマイクロ波デバイス・パッケージ・ラインナップ」をご参照ください（CADデータはこちら）。 http://www.ncsd.necel.com/microwave/japanese/document_j.html#pkg (2007/03)
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		(2007/03)

tr -0301	コンプリメンタリ使用

Q1	コンプリメンタリ使用を保証するための素子としての要件(必要な特性)、その保証値または許容値等を教えてください。
A1	コンプリメンタリとして推奨をしていても特段に保証項目を決めてはおりません。一般的に要望されるコンプリメンタリ特性としての項目は、直流電流増幅率(hFE)の電流特性です。その他、設計される回路から要望される特性項目は異なってくるかと考えます。したがいまして、コンプリメンタリとしてご使用の際は、個々の特性を見比べてご判断いただくことになります。
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		(2005/03)

tr -0302	周波数特性

Q1	トランジスタの特性として、コレクタ容量(Cob)やトランジション周波数(ｆT)は、hFEランクと相関があるのでしょうか？
A1	一般に、hFEとコレクタ容量(Cob)の相関はありません。一方、トランジション周波数(ｆT)はhFEが下がれば電流利得が下がりますので、低くなります。関連項目トランジション周波数
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		(2005/03)

tr -1201	スイッチング特性

Q1	増幅用トランジスタでは、ターンオン時間とターンオフ時間はどのくらいですか。
A1	増幅用トランジスタはスイッチング用ではないので、ターンオン時間とターンオフ時間を規定していません。スイッチング特性が必要な場合は、スイッチング用のトランジスタをご使用ください。 (2007/10)
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		(2007/10)

tr -0303	Vceo逆電圧

Q1	2SC1623のVceo逆電圧の耐圧は何ボルトとなるでしょうか？
A1	Vceoの逆方向電圧は規定しておりませんが、2SC1623の場合目安として絶対最大定格Veboの5V程度となります。
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		(2005/03)

tr -0601	VceoとVces

Q1	2SC4176のデータ・シートにおいて、絶対最大定格Vces=40V,Vceo=15Vとありますが、この二つの違いを教えて下さい。実際に、コレクタ－エミッタ間の最大電圧はどちらを適用すれば宜しいでしょうか？
A1	電圧の規定方法として定格電圧を例にとれば、エミッタを基準にコレクタ～エミッタ間に電圧を印加し、ベース端子の状態により規定をしております。つまり、Vceo（図1）はベースオープンでのコレクタ～エミッタ間の定格であり、Vces（図2）はベース～エミッタ間ショートでのコレクタ～エミッタ間の定格です。 VceoとVcesはVceo＜Vcesの関係にありますので、低い方のVceoを守っていただければ安全です。 (2006/07)
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		(2006/07)

tr -0401	周波数による分類

Q1	データシートに低周波増幅用とか高周波増幅用と記載してありますが、それぞれの周波数範囲は具体的にどの様になりますか？
A1	厳密な区分はありませんが、低周波用素子とは一般に音声や楽器などの数十Hzから数十kHz程度の周波数領域の増幅用を言います。高周波増幅用は数十kHzから数百MHz程度の信号増幅を想定しています。ちなみに、1GHz以上では超高周波増幅用と呼ばれます。 (2005/12)
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		(2005/12)

tr -0501	静電気耐量

Q1	バイポーラトランジスタの静電気耐量（人体モデルHBM,機械モデルMM）を教えてください。
A1	トランジスタの静電気耐量は規定しておりません。必要な場合は販売特約店に「品質/信頼性試験報告書」をご要求ください。人体モデル(HBM)，機械モデル(MM)については半導体品質/信頼性ハンドブックの　6. 4 ESDに対する注意事項　をご参照ください。 (2006/04)
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		(2006/04)

tr -0702	hFE劣化

Q1	長時間使用中にhFEの劣化が起きることがあると聞きました。 hFEが劣化する要因と対策を教えてください。
A1	トランジスタのエミッタ・ベース間に逆バイアス・ブレークダウン電圧（エミッタ･ベース間電圧V_EBO）近く、またはそれ以上の電圧が瞬時的にも繰り返し印加される回路では、長時間の使用でh_FE劣化を招きます。回路設計では、このエミッタ・ベース間の逆バイアス・ブレークダウンを起こさないことが必要です。 (2007/09)
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		(2007/09)

tr -1301	過渡熱抵抗特性グラフ

Q1	2SC3632のデータ・シートに、下図の過渡熱抵抗対パルス幅の特性グラフがありますが、特性曲線の「単体」と「無限大放熱板」からどのような熱抵抗がよみとれますか？
A1	特性曲線の「単体」はジャンクション・周囲間の過渡熱抵抗を、「無限大放熱板」はジャンクション・ケース間の過渡熱抵抗をそれぞれ示しています。特性曲線の最右側(パルス幅100s)の値が定常熱抵抗値になります。 (2007/11)
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		(2007/11)

tr -0801	放熱板なしとはどのような実装状態

Q1	2SA1396の過渡熱抵抗グラフの全損失の条件に「T_A＝25℃ 放熱板なし」とありますが、これはどのような実装状態なのでしょうか？ある程度の大きさの基板に実装しているのでしょうか？
A1	「T_A＝25℃　放熱板なし」は、図のように基板に自立（縦差し）実装し、放熱板を付けない状態での規定です。なお、この場合基板への放熱は実質的に少ないために、基板サイズは特に規定しておりません。 (2006/11)
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		(2006/11)

tr -1001	放熱板

Q1	2SA1412のデータ・シートに図のような放熱板付きの損失特性が記載してありますが、取り付け可能な放熱板の型名、取り付け方法等を教えてください。
A1	放熱板の型名、取り付け方法等は弊社で特に指定いたしておりません。お客様使用条件を基に、放熱板メーカにお問い合わせください。なお、下記URLの技術資料にMP-3パッケージの放熱フィン取り付け例や注意事項が記載されておりますので、ご参照ください。表面実装用MP-3形パワーデバイス(D17347JJ4V0AN00.pdf) 関連項目電力定格 (2007/01)
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		(2007/01)

tr -0802	Ｌ負荷時の外付けダイオード

Q1	uPA2000シリーズにおいて、出力側にリレーや電磁弁を接続する際、リレーや電磁弁のコイル両端にサージ吸収用のダイオードを付けた方が良いのでしょうか？
A1	UPA2000シリーズには、図(A)のようにサージ吸収用ダイオードが内蔵されておりますので、出力側にリレーや電磁弁を接続する際のサージ吸収用ダイオードは基本的に必要ございません。しかしながら、内蔵ダイオードの絶対最大定格を越えるサージが想定される場合は、損失容量の大きいサージ吸収用ダイオードの外付けが必要です。また、図(B)のように電源電圧が異なることで内蔵ダイオードが使えない場合や、一定時間に渡って回生電流が生じるパルスモータ駆動等では、内蔵ダイオードはスパイク電圧吸収を主眼としているため外付けダイオードが必要となります。 (2006/11)
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		(2006/11)

tr -0901	同一パッケージで全損失が異なるのは？

Q1	2SB1430,2SB1431,2SB1432等は同一パッケージ(TO-220)なのに"P_T(T_C=25℃)"の全損失の値が20W,25W,30Wと違っています。パッケージは同じなのに、なぜ違うのですか？チップサイズが違うからですか？チップサイズの違いによる場合、"P_T(T_A=25℃)"ではなぜ同じ2.0Wの全損失になるのですか？
A1	チップサイズの違いによります。 "P_T(T_C=25℃)"の場合の全損失はチップサイズに影響されます。チップサイズが大きい方が放熱し易く、全損失は大きくなります。 "P_T(T_A=25℃)"の場合は、ほとんどパッケージから周囲への放熱となり、チップサイズの全損失への影響はほとんどございません。 (2006/12)
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		(2006/12)

tr -0902	コレクタ電流の最大定格

Q1	2SA1611,2SC4177の絶対最大定格において、コレクタ電流Ic=100mAとありますが、これは直流電流とパルス電流のどちらにも当てはまる数値でしょうか？違う場合、その絶対最大定格を教えてください。
A1	2SA1611,2SC4177の絶対最大定格コレクタ電流は、直流電流での定格です。パルス電流での規定はいたしておりません。よって、パルスのコレクタ電流においても、この定格内でのご使用をお願い申し上げます。 (2006/12)
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		(2006/12)

tr -1101	動作領域

トランジスタの動作領域である飽和領域、活性領域、遮断領域とはそれぞれどの様な動作状態を言うのですか？

飽和領域：	ベース電流を大きくしていくと、負荷抵抗の両端電圧（V_Rl=Ic×Rl）は大きくなります。図で言えば負荷線上ａ→ｂへ移動します。電源電圧が一定であれば、ベース電流をいくら増やしても負荷線上ｃから先はコレクタ電流が増えません。コレクタ・エミッタ間の電圧は最小となります。この最小電圧をコレクタ飽和電圧V_CE(sat)と言います。この領域はスイッチ動作としてのオン状態です。
活性領域：	図の薄いブルーの領域は、負荷線上ｂを中心に適切なベース電流である入力信号の変化を、大きなコレクタ電流の変化としてひずみなく増幅することができる領域です。
遮断領域：	ベース端子をオープンにしても、コレクタ・エミッタ間にはコレクタ遮断電流I_CEOが流れます。この領域を遮断領域（コレクタ遮断領域）と言います。この領域はスイッチ動作のオフ状態です。

トランジスタの使い方

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