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3ピン・パワー・ミニ・モールド(SC-62)の外形図は、Top view なのか Bottom view なのか分りません。

中央のコレクタやソースの端子形状が分かるように、Bottom view で記載しています。

(2007/03)

４ピン及び６ピンパッケージの１ピン位置が判りません。どのように見ればいいのですか？

パッケージを捺印が読める向きにして、左下が１ピンです。
なお、RF/マイクロ波デバイスは製品によって位置が異なりますので、各製品のデータ・シートをご参照ください。

(2007/03)

SC-62とSOT-89は同じものですか？

SC-62はEIAJ（日本電子機械工業会）、SOT-89はJEDEC（電子部品の標準化を推進するアメリカの業界団体）の呼称です。呼称は異なりますが形状に違いはございません。

(2006/06)

ディスクリートのパッケージでNECエレクトロニクス独自の呼称はありますか？

パワー系パッケージのMP-＊＊は、NECエレクトロニクス独自の呼称です。

(2006/06)

トランジスタ,ダイオード等の動作温度範囲を教えてください。

半導体製品のうち、集積回路製品は回路が機能しなければ用をなさないため、(回路)動作温度範囲を規定しております。
トランジスタ,ダイオードなどディスクリート製品は、それ自体では回路機能がありませんので、動作温度範囲を規定しておりません。
保存温度範囲内でご使用ください。

使用温度範囲下限は保存温度範囲になりますが、上限は接合部温度で制限されます。
例えばトランジスタ等の絶対最大定格接合部温度は 150℃です。
接合部温度が150℃を超えないよう、ディレーティングしてご使用ください。

TO-220等パッケージは、パッケージを放熱フィンなどに装着して使用するケースがあると思います。
その際に、放熱フィンに1.5KV程度の電圧が印加されるような状況の場合があるため絶縁耐圧を知りたいです。

誠に申し訳ございません。TO-220等パッケージの絶縁耐圧は測定しておりません。
お手数ですが、弊社特約店経由でご要求くださいますようお願い申し上げます。

ラベルに記載の型名２ＳＤ１７０１−ＡＺ／ＪＭの末尾「JM」の意味を教えてください。
また、形状として標準品との違いはありますか？

「JM」は生産国（拡散国、組立国）を表しております。

１桁目　・・・　拡散国　Ｊ＝日本
２桁目　・・・　組立国　Ｍ＝マレーシア

これも標準品であり、形状や特性に違いはございません。

(2005/11)

２ＳＤ１６９４について、「Ｋ」規格を依頼しましたが、「KM」という表示がされています。Ｋ規格品で間違いないでしょうか？
また、この「M」の意味は何でしょうか？

「KM」という表示品は、、K規格品です。「M」は弊社管理記号で、情報公開はいたしておりません。ご了承の程お願い申し上げます。

(2005/11)

３ピンミニモールド(SC-59)品のオーダ品名にある「L」は何を表す記号ですか?

一般に「L」はマガジン・ケース包装を表します。このパッケージの製品では、テーピング品の 「T1B」や「T2B」などもあります。オーダ品名には、包装形態の記号も含みます。
なお、RF/マイクロ波デバイスはマガジン・ケース包装でなく、テーピング品をデバイス50個ごとに切断したものになっています。

(2007/03)

トランジスタやＦＥＴなどのオーダ品名に (0) が付いたものがあります。この (0) は何を表す記号ですか？

(0) は電装対応を表す記号です。自動車用途に対応した高品質、高信頼性の製品です。

(2006/04)

ディスクリート製品の電装仕様品と一般品は何が違うのですか？

電装仕様品は、一般品の製造管理の上に製造設備や工程の管理を特別に定め、信頼性水準を一般品より高く設定し、高品質、高信頼性の製品を提供するものです。

(2007/12)

自立型パッケージの捺印表示内容を教えてください。

TO-220などのパワー系、TO-92などの小信号系の捺印表示は、それぞれ次のようになります。

• パワー系パッケージ
  上段：ＮＥＣロゴ
  中断：捺印名 (捺印名は品名から”2S ”が省略されています)
  下段：規格、ロット番号(詳細は下記)

• 小信号系パッケージ
  上記パワー系パッケージ捺印表示の内、ＮＥＣロゴを省略しただけで他は同様です。

パワートランジスタやパワーMOSFETの周囲温度に対する全損失の特性グラフに”無限大放熱板付”とありますが、この無限大放熱板付の意味を教えてください。

無限大放熱板付≒Tc＝25℃とみなします。すなわち、きわめて大きな放熱器をつけて接合部の熱を外部に放散させ、ケース温度を25℃にしなければなりません。

(2005/12)

パワートランジスタやパワーMOSFETの電力定格である全損失は、TA=25℃とTc=25℃の二通りの条件で規定してありますが、この二通りの全損失にはどんな違いがあるのですか？

電力定格のTA=25℃ での規定は、周囲(Ambient)温度25℃の雰囲気中で、半導体素子単体の最大電力消費量を表しています。
この場合、熱発生源から周囲空間までの熱抵抗はRth(j-a) で表します。

電力定格の Tc=25℃ での規定は、半導体素子(Case)そのものを強制的に冷却し即ち、パッケージ表面を25℃とした場合に許容できる最大電力消費量を表しています。
なお、表記として「無限大放熱板付」と記してある場合もあります。しかしながら、実使用ではパッケージ表面温度を25℃にすることは極めて難しくディレーティングも考慮すると許容電力はTA=25℃とTc=25℃の中間程度となります。

関連項目
熱設計

(2006/04)

SC-62製品の絶対最大定格全損失の条件に、セラミック基板使用時とありますが、セラミック基板とはどのようなものなのでしょうか?

セラミック基板とは、陶磁器などの材料を板状にし、高温で焼き固めたものです。ガラスエポキシ基板に比べ放熱性に優れているため、比較的パワーの大きなハイブリッドＩＣなどによく使用されます。

(2006/10)

2SD1000(SC-62)は、セラミック基板実装時の全損失として2Wと規定してありますが、ガラスエポキシ基板に実装した場合の全損失はどのようになりますか？

SC-62パッケージのセラミック基板実装時の全損失2Wは、その時のジャンクション−周囲間熱抵抗：62.5℃/Wから規定されています。
ガラスエポキシ基板実装の場合のジャンクション−周囲間熱抵抗は約150℃/Wとなりますので、これを基に計算［W=(150℃-25℃)/150℃/W］しますと、周囲25℃の時は0.8W程度となります。
全損失−周囲温度の特性につきましては、データシートのPT-TAグラフに、25℃=0.8Wと150℃=0Wを結んだ線を入れてご参考ください。

(2006/07)

トランジスタやMOSFETを選定する際の確認事項はどのようなことがありますか？

選定のための最低限の確認事項として、次のようなものがあります。

VCEO及びVDSS定格	→	電源電圧＋マージン
IC及びID定格	→	負荷電流＋マージン
パッケージ	→	サイズや実装方法
PT定格	→	使用時の最大周囲温度
hFE,ゲート駆動電圧	→	回路設計によるhFEやゲート駆動電圧
VCE(sat),RDS(on)	→	消費電力に影響
NF,Ga,fT	→	高周波特性に影響

(2007/03)

TO-220の表面実装品にはTO-220SMD(MP-25Z)、TO-263(MP-25K,MP-25ZP)等がありますが、それぞれはどのような違いがありますか？

TO-263(MP-25K,MP-25ZP)とTO-220SMD(MP-25Z)を比較した場合、外形上は大きな差異はございません。
しかしながら、MP-25ZPは大電流(110A)を保証したものです。

TO-220SMD(MP-25Z)は、JEITA(電子情報技術産業協会)の標準パッケージとして日本国内向けに採用しております。

TO-263(MP-25K,MP-25ZP)は、JEDEC(アメリカの電子部品業界団体)の標準パッケージです。

(2006/02)

古いトランジスタの中に、モールド樹脂が緑色のものがあります。
モールド樹脂が緑色のものは過去に実在しましたか？

1994年12月まではPNPタイプに緑色のモールド樹脂を使用しておりました。1995年1月以降はトランジスタ全般を黒色へ統一をしております。
したがいまして、PNPタイプの1994年12月までのロットでは緑色のモールド樹脂が存在いたします。

(2006/09)

パワートランジスタを放熱板に取り付ける際の、ネジ締めトルクの許容値を教えてください。

放熱板の締め付けトルクの許容値は「パワートランジスタの取り付け方法と取り付け部品一覧表」の表−１で、パッケージごとにご参照ください。
なお、RF/マイクロ波デバイスについては、各製品のデータ・シートに記載していますので、そちらをご参照ください。

(2007/03)

データシートに熱抵抗の記載がありません。
算出する方法がありましたら教えてください。

熱抵抗は、データシートの全損失(PT)を基に下記の式で算出できます。

• ジャンクション・周囲間Rth(j-a)=(Tj-Ta)/PT
• ジャンクション・ケース間Rth(j-c)=(Tj-Tc)/PT

例として2SD1588の場合では、

• Rth(j-a)=(150℃-25℃)/2W=62.5℃/W
• Rth(j-c)=(150℃-25℃)/30W=4.17℃/W

となります。

SC-59（ミニモールド）やSC-62（パワー・ミニモールド）のジャンクション−ケース間熱抵抗を教えてください。

いずれもジャンクション−ケース間熱抵抗は規定していません（Tc＝25℃での全損失を規定していません）。
データ・シートに記載の「全損失-周囲温度（T_A）」の特性グラフで、使用の可否をご判断ください。

(2008/05)

2SC945Aは「廃止品ではないが新規セットへの採用は控えさせていただいております」との連絡が代理店よりありました。
現在廃止予定のない相当品を教えて下さい。

2SC945Aと同様の小信号系リード挿入型製品はすべて集約方向にあり、新規セットへのご採用は控えさせていただいております。
したがって、相当品は表面実装型製品の2SC1623や2SC4177等のご検討をお願いいたします。

(2007/07)

動作温度範囲のFAQの中に「接合部温度が150℃を超えないよう、ディレーティングしてご使用ください。」との記述がありますが、このディレーティングとは具体的にどのようなことをするのですか？

図の例えばケース温度が100℃の場合、安全動作領域は25℃時の消費電力の40%としなければなりません。このように素子の周囲の温度や自分自身の発熱による温度上昇を考え、使用条件を低下させることをディレーティングと言います。
図の40％以上の領域で使用した場合、接合部温度は絶対最大定格の150℃を超えることになります。

(2007/08)

2SC4553において、周囲温度55℃の時、ジャンクション温度を150℃以下に抑える為にはケース温度を何℃に抑える必要がありますでしょうか？

ケース温度によってジャンクション温度を推測する場合、ジャンクション・ケース間熱抵抗を使用します。
2SC4553のジャンクション・ケース間熱抵抗は4.2℃/Wですので、仮に全損失=10Wで使用した場合、ジャンクション・ケース間の温度差は 4.2℃×10W=42℃ となります。
したがって、10Wで使用した場合のケース温度は、150℃-42℃=108℃以下としなければなりません。
周囲温度に対しては、周囲温度が上昇すればその分ケースの温度も上昇しますので、ジャンクション温度を150℃以下に抑える為には、全損失を下げてジャンクション温度が150℃を超えないようにディレーティングしなければなりません。

関連項目：熱設計

(2007/12)

フィン付きパワーパッケージのケース温度を測定する場合、どの部分で測定すればよろしいでしょうか？

簡便な方法はチップに近いフィンと樹脂の界面に熱電対を付けて測ります。

トランジスタやFETの絶対最大定格の略号の見方を教えてください。

略号は次の意味合いを持ちます。
V_�@�A�Bにおいて、

(2007/12)