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Volume 75 (2007/06/26)
VLSIシンポジウム2007発表論文のご紹介 (1/5)
2007年6月11日から16日まで、京都のリーガ・ロイヤルホテルで、最先端のデバイス、プロセスや回路技術が発表される「VLSIシンポジウム (2007 Symposia on VLSI Technology and Circuits) 2007」が開催されました。今回は、「Symposium on VLSI Technology」で当社単独、および当社とNECが共同で発表した研究成果をご紹介します。
VLSIシンポジウムの概要
VLSIシンポジウムは、半導体電子デバイス／回路技術分野においてIEDM (International Electron Devices Meeting)、ISSCC (International Solid State Circuits Conference)とならぶ大きな学会で、デバイス／プロセスをテーマとするVLSI Technologyと回路技術をテーマとするVLSI Circuitsで構成されています。会期中はそれぞれの学会にShort Courseが併設され、VLSI Technology学会では32nm世代に向けての展望、VLSI Circuits学会ではばらつき対応設計、無線トランシーバ用RFIC設計のレクチャーが行われました。
NECエレクトロニクスの発表論文
NECグループが主著者となる論文は9件採択されました（Technology5件、Circuit4件）。そのうちNECエレクトロニクスは単独で1件、NECと共同で3件の論文を発表しました。この4つの論文の概要を紹介します。
<<論文タイトル>>
- Session 3A-1: Variability in SRAM
- SRAM Critical Yield Evaluation Based on Comprehensive Physical / Statistical Modeling, Considering Anomalous Non-Gaussian Intrinsic Transistor Fluctuations
- 微細トランジスタ特性ばらつきが回路動作に及ぼす影響の高精度予測技術を開発
- 「微細デバイス特性のランダムばらつき」を物理的に予測し、この予測されたランダムなばらつきを回路シミュレーション設計に精密に取り込むことで、回路（たとえばSRAMセル）特性の安定性を量産前に高精度に見積もることを可能にする技術を開発しました。
- SRAM Critical Yield Evaluation Based on Comprehensive Physical / Statistical Modeling, Considering Anomalous Non-Gaussian Intrinsic Transistor Fluctuations
- Session 10A-2: CMOS Platform/Integration Technology
- A Cost-Effective LOP/LSTP Integrated CMOS Platform Utilizing Multi-Thickness SiON Gate Dielectrics with Hafnium for 45-nm Node
- 待機時にも動作時にも低電力を実現する低コスト45nmノードCMOS技術
- 低待機時電力トランジスタと低動作時電力トランジスタとを混載した45nmノードCMOS技術を開発しました。Hfによる仕事関数制御を利用することで、高性能かつ低コストなトランジスタ集積技術を確立しました。
- A Cost-Effective LOP/LSTP Integrated CMOS Platform Utilizing Multi-Thickness SiON Gate Dielectrics with Hafnium for 45-nm Node
- Session 12A-4: Advanced CMOS Devices
- Highly Efficient Stress Transfer Techniques in Dual Stress Liner CMOS Integration
- デュアルストレスライナの効果を最大化する新CMOSインテグレーション技術
- ストレスライナ窒化膜の応力を効果的に利用し、トランジスタのドライブ電流を向上できる独自の2重細らせ側壁構造と密着性向上技術を開発することで、低コストと高性能を両立するCMOSトランジスタを実現しました。
- Highly Efficient Stress Transfer Techniques in Dual Stress Liner CMOS Integration
- Session 9-1: Low Power Wireless Communication
- A 2.4GHz ISM-Band Digital CMOS Wireless Transceiver with an Intra-Symbol Adaptively Intermittent Rx
- 無線IPコアのデジタル化をさらに一歩進める基本技術を開発
- システムLSIへの無線IPコア混載が容易になり、無線機器の低コスト化・低消費電力化に貢献する無線IPコアのデジタル化を進める技術を開発しました。
- A 2.4GHz ISM-Band Digital CMOS Wireless Transceiver with an Intra-Symbol Adaptively Intermittent Rx
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