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Volume 74 (2007/06/19)
IITC2007発表論文のご紹介 (1/3)
2007年6月4日から6日まで、米国カリフォルニア州サンフランシスコ市郊外で最先端の配線技術が発表される「IITC (IEEE International Interconnect Technology Conference) 2007」が開催されました。今回は、IITCに採択されたNECエレクトロニクスとNECによる共同の研究成果をご紹介します。
IITCとは
IITCはIEEEの配線専門国際学会でSi半導体の配線プロセス／インテグレーション、配線設計、実装関連、アンテナなどの配線RF技術をテーマとした学会です。1998年に始まり、毎年6月にサンフランシスコで開催されています。参加者は600-700人で、半導体メーカだけでなく装置ベンダ、半導体材料ベンダも多く集まるため、ベンダセミナや展示会も同時に開催されます。今年は、約120件の投稿論文の中から25%程度がOralに採択され、Posterも入れると半分弱が発表されました。分野別では、45-32nmに加え22nmノードを見据えた配線技術、Low-kなどの個別プロセス技術やカーボンナノチューブなどの新技術、RF技術、3Dなどの実装技術に関する論文が多く採択されました。地域別では、日本が最も採択件数が多いのですが、最近は韓国や台湾以外のアジアからも多く論文が投稿されるようになりました。しかし大学、研究機関からの投稿／採択は欧米が非常に多く、次に日本を除いたアジアとなっており、基礎研究開発は主に欧米で盛んに行われていることが伺えます。NECグループとNECエレクトロニクス/SONY/東芝との協業チーム（NEXST）から、あわせて4件が採択されました。
NECエレクトロニクス関係の発表論文
IITCで採択された2つの論文の概要を紹介します。
- セッション6.2:
- A Study of Adhesion and Improvement of Adhesion Energy Using Hybrid Low-k (porous-PAr/porous-SiOC(k=2.3/2.3)) Structures with Multi-layered Cu Interconnects for 45-nm Node Devices
- 45nm世代のハイブリッドLow-k構造の多層配線を用いた密着性の研究と密着エネルギーの改善
- 配線層間膜の密着性を評価する方法として、はじめて実際の配線を用いた4point-bending testとmodified Edge lift-off testの比較を行いました。その結果、両方の手法が評価するうえで不可欠であることがわかりました。
- A Study of Adhesion and Improvement of Adhesion Energy Using Hybrid Low-k (porous-PAr/porous-SiOC(k=2.3/2.3)) Structures with Multi-layered Cu Interconnects for 45-nm Node Devices
- セッション8.3:
- Study on Effect of Via Contour Distortion on Via Micro-void Formation in 45nm-node Process
- 45nm世代におけるビア形状の改善によるビア内微少空孔（マイクロボイド）生成抑制
- 45nm世代の半導体において、ビア形状がゆがむことによってビアボール内に微小な空孔（ボイド）が生成されることを突き止めました。ビア形状の改善に加えて、製造時における形状の管理手法の確立を行うことで、歩留まりの改善や信頼性の向上を実現しました。
- Study on Effect of Via Contour Distortion on Via Micro-void Formation in 45nm-node Process
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