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Volume 64 (2006/06/22)
VLSIシンポジウム2006発表論文のご紹介 (1/5)
2006年6月13日から17日まで、米国ハワイ州のHilton Hawaiian Villageホテルで、最先端のデバイス、プロセスや回路技術が発表される「VLSIシンポジウム (2006 Symposia on VLSI Technology and Circuits) 2006」が開催されました。今回は、「VLSIシンポジウム」で当社単独、および当社とNECが共同で発表した研究成果をご紹介します。
VLSIシンポジウムの概要
VLSIシンポジウムは、半導体電子デバイス／回路技術分野においてIEDM(International Electron Devices Meeting)、ISSCC(International Solid State Circuits Conference)とならぶ大きな学会で、デバイス/プロセスをテーマとするVLSI Technologyと回路技術をテーマとするVLSI Circuitsで構成されています。今年、VLSI Technology学会では296件の投稿論文から92件が採択されました。今回は、High-k, メタルゲートや歪みSiチャネルなどのフロントエンドの論文が増え、他に不揮発メモリのテーマも多く発表されました。またVLSI Circuits学会では412件の投稿論文から113件が採択され、新規メモリ、プロセッサ、通信、アナログに対する設計概念などのテーマが報告されました。
会期中はそれぞれの学会にShort Courseが併設され、VLSI Technology学会では継続的スケーリング・性能のためのプロセス技術、VLSI Circuits学会では混載システム用データ・コンバータ設計、およびマイクロプロセッサ・ネットワーキングのパラダイムシフトのための設計をテーマにとりあげたレクチャーが開催されました。
NECエレクトロニクスの発表論文
NECグループからは8件の論文が採択されました。そのうちNECエレクトロニクスは単独で１件、NECと共同で3件の論文を発表しました。 この4つの論文の概要を紹介します。
<<論文タイトル>>
- Session 4-4: Advanced Gate Dielectric Reliability
- Newly Found Anomalous Gate Leakage Current (AGLC) for 65 nm Node and Beyond, and Its Countermeasure Using Nitrogen Implanted Poly-Si
- Session 14-1: Advanced Interconnect Technology
- High-performance Cu-interconnects with Novel Seamless Low-k SiOH Stacks (SEALS) Featured by Compositional Modulation Process for 45nm-node ULSI Devices
- Session 17-2: Novel Architectures and Process Integration
- A Novel Cu Electrical Fuse Structure and Blowing Scheme Utilizing Crack-Assisted Mode for 90-45nm-Node and Beyond
- Session 19-4: Advanced CMOS Technology
- 55nm CMOS Technology for Low Standby Power/Generic Applications Deploying the Combination of Gate Work Function Control by HfSiON and Stress-Induced Mobility Enhancement
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