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Volume 63 (2006/06/15)
IITC2006発表論文のご紹介 (1/3)
2006年6月5日から7日まで、米国カリフォルニア州サンフランシスコ市で最先端の配線、実装技術が発表される「IITC(IEEE International Interconnect Technology Conference) 2006」が開催されました。今回は、IITCに採択されたNECエレクトロニクスとNECによる共同の研究成果をご紹介します。
IITCとは
IITCはIEEEの配線専門国際学会でSi半導体の配線プロセス/インテグレーション、配線設計、実装関連、アンテナなどの配線RF技術をテーマとした学会です。1998年に始まり、毎年6月にサンフランシスコで開催されています。参加者は600-700人で、半導体メーカだけでなく装置ベンダー、半導体材料ベンダーも多く集まるため、ベンダーセミナーや展示会も同時に開催されます。今年は、130-150件の投稿論文のなかから約30%程度がOralに採択され、Posterもいれると半分が発表されました。分野別では、45-32nmノードの配線技術、Low-kなどの個別プロセス技術やカーボンナノチューブなどの新技術、RF技術に関する論文が多く採択されました。地域別では、日本はもっとも採択件数が多く、一時期の低迷から脱している状況です。しかし大学、研究機関からの投稿/採択は欧米が非常に多く、つぎに日本を除いたアジアとなっており、基礎研究開発は主に欧米で盛んに行われていることが伺えます。NECグループからは5件が採択されました。
NECエレクトロニクス関係の発表論文
IITCで採択された２つの論文の概要を紹介します。
- セッション7.7:
- Highly Reliable Interface of Self-Aligned CuSiN Process with Low-k SiC Barrier Dielectric (k=3.5) for 65nm Node and Beyond
- 65nm 世代以降の自己整合CuSiNプロセスとLow-k SiC(k=3.5)を用いた高信頼性の界面技術
- 自己整合のCuSiNプロセスとLow-kバリア絶縁膜（k=3.5）の組み合わせを用いた高信頼性の界面技術を開発しました。この技術により配線間容量が低減し、信頼性が向上します。
- Highly Reliable Interface of Self-Aligned CuSiN Process with Low-k SiC Barrier Dielectric (k=3.5) for 65nm Node and Beyond
- セッション7.16:
- A Novel CoWP Cap Integration for Porous Low-k/Cu interconnects with NH3 Plasma Treatment and Low-k Top (LKT) Dielectric Structure
- NH3プラズマ処理、Low-k膜最上面構造を用いたCoWPキャップCu配線技術
- CoWPメタルキャップCu配線は配線間リークが高くなることが課題でした。今回キャップ後にNH3プラズマ照射を行い、また層間膜のLow-k膜が最上面になる構造にすることで、リークを改善しました。これにより45nm世代以降の高信頼配線形成が可能となります。
- A Novel CoWP Cap Integration for Porous Low-k/Cu interconnects with NH3 Plasma Treatment and Low-k Top (LKT) Dielectric Structure
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