本ウェブサイトでは、JavaScriptおよびスタイルシートを使用しております。
お客さまがご使用のブラウザではスタイルが未適応のため、本来とは異なった表示になっておりますが、
情報は問題なくご利用いただけます。
Volume 49 (2005/06/22)
VLSIシンポジウム2005発表論文のご紹介 (1/4)
2005年6月14日から18日まで、京都市のリーガロイヤルホテルで、最先端のデバイス、プロセスや回路技術が発表される「VLSIシンポジウム (2005 Symposia on VLSI Technology and Circuits) 2005」が開催されました。今回は、「VLSIシンポジウム」で当社とNECが共同で発表した研究成果をご紹介します。
VLSIシンポジウムの概要
VLSIシンポジウムは半導体電子デバイス／回路技術分野においてIEDM(International Electron Devices Meeting)、ISSCC(International Solid State Circuits Conference)とならぶ大きな学会で、デバイス/プロセスをテーマとするVLSI Technologyと回路技術をテーマとするVLSI Circuitsで構成されています。今年、VLSI Technology学会では255件の投稿論文から90件が採択されました。メタルゲートや歪みSiチャネルなどのフロントエンドの論文が増えており、他にSRAMのテーマも多くなっています。またVLSI Circuits学会では259件の投稿論文から92件が採択され、UWB(Ultra Wide Band)、マイクロプロセッサなどのテーマが報告されました。
会期中はそれぞれの学会にShort Courseが併設され、VLSI Technology学会では45/32nmノードの技術、VLSI Circuits学会ではマイクロプロセッサ用のマルチGHzクロックをテーマをとりあげたレクチャーが開催されました。
NECエレクトロニクスの発表論文
NECグループからはVLSI Technology学会に4件、VLSI Circuits学会に1件の論文が採択されました。そのうち、NECエレクトロニクスはNECと共同で3つの論文を発表しました。
<<論文タイトル>>
- Session 2-4: Highlights
- Feasibility Study of a Novel Molecular-Pore-Stacking (MPS), SiOCH Film in Fully-scale-down, 45nm-node Cu Damascene Interconnects
- Session 12A-3: Advanced CMOS Technolgoy II
- Ultra-Low Standby Power (U-LSTP) 65-nm Node CMOS Technology Utilizing HfSiON Dielectric and Body-biasing Scheme
- Session20-2: Low Power Design
- Monitoring Scheme for Minimizing Power Consumption by Means of Supply and Threshold Voltage Control in Active and Standby Modes
865KB)