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製品情報 > ASIC > ゲートアレイ，エンべデッドアレイ > 製品ラインアップ >

CMOS-N5シリーズ


  • CMOS-N5 5V系
  • CMOS-9HD 3.3V系
  • EA-9HD 3.3V系
  • CMOS-10HD 2.5/1.8V系
  • CMOS-12M 1.5V系

製品概要マスタ/パッケージラインアップ

CMOS-N5シリーズ　製品概要

0.5µm CMOSプロセスを採用した，2層配線，チャネル構造の低価格ゲートアレイです。豊富なパッケージ・ラインアップを用意し，単価，開発費ともに低価格で提供しております。


特長 用途 活用事例 基本仕様 ドキュメント


特長

  • 0.5 μm CMOSプロセス，2層配線のチャネル構造の低価格ゲートアレイ
  • 電源電圧 5V，あるいは 3V単一駆動
  • ユーザブル・ゲート数で1,500～92,500ゲートに対応
  • 単価，開発費ともに超低価格で提供中

用途

  • 5V単一駆動の小規模システム
  • 3V単一駆動の小規模システム
  • 5V単一駆動の中／大規模システムにおけるグルーロジック
  • 3V単一駆動の中／大規模システムにおけるグルーロジック
  • 3V単一，または5V単一の各種I/F回路

活用事例


基本仕様

項目 仕様
プロセス 0.5 μm CMOSプロセス
使用可能ゲート数 1,500～92,500ゲート
電源電圧 5.0±0.5V，3.3±0.3V
遅延時間 内部ゲート 0.21 ns（電源電圧：5.0 V，ファンアウト：1，標準配線長）
0.28 ns（電源電圧：3.3 V，ファンアウト：1，標準配線長）
パワー・ゲート 0.16 ns（電源電圧：5.0 V，ファンアウト：1，標準配線長）
0.22 ns（電源電圧：3.3 V，ファンアウト：1，標準配線長）
入力バッファ 0.23 ns（電源電圧：5.0 V，ファンアウト：1，標準配線長）
0.31 ns（電源電圧：3.3 V，ファンアウト：1，標準配線長）
出力バッファ 1.30 ns（電源電圧：5.0 V，IOL=9 mA，CL=15 pF）
2.02 ns（電源電圧：3.3 V，IOL=9 mA，CL=15 pF）
最高動作周波数 5 V動作時：60 MHz
3.3 V動作時：33 MHz
3.0 V動作時：25 MHz（回路構成に依存）
出力駆動能力 IOL=3，6，9，12，18，24 mA
動作周囲温度 TA=-40～85℃
入出力バッファ CMOSレベル，TTLレベル（出力はなし），発振ブロック（MHz帯）
メモリ・マクロ 非同期高密度1/2ポートRAM
メガマクロ ・プログラマブルDMAコントローラ
・シリアル・コントロール・ユニット
・プログラマブル・タイマ・カウンタ
・パラレル・インタフェース・ユニット
・インタラプト・コントロール・ユニット
・UART
テスト関連 SCAN，BSCAN
その他のマクロ CTS


ドキュメント

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パンフレット


資料名 言語 資料番号 データ
CMOS-N5シリーズパンフレット 日本語 A13629J PDF
英語 A13629E PDF

マニュアル・ブロックライブラリ


資料名 言語 資料番号 ダウンロード
設計マニュアル 日本語 A13826JJ8V0DM00
英語 A13826EJ8V0DM00
設計マニュアル　メガマクロ編 日本語 A14759JJ4V0DM00
英語 A14759EJ4V0DM00
ブロック・ライブラリ
（BoundaryScan, ScanPathを含む） 		5.0V 日本語 A13872JJ5V0BL00
英語 A13872EJ5V0BL00
ブロック・ライブラリ　メモリ編 日本語 A14683JJ2V0BL00
英語 A14683EJ2V0BL00


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