EA-9HDシリーズ
EA-9HDシリーズ 製品概要
0.35 µmのCMOSプロセスを採用した,3/4層配線,チャネルレス構造(SOG)の高密度,高速エンベデッドアレイです。
各種高機能コアを搭載可能で,セルベースICより低開発費,短TATが実現できます。
EMIノイズ低減用の容量セルを搭載可能,さらにSSCG(スペクトラム拡散クロック・ジェネレータ)マクロとの併用により,さらなるEMIノイズ低減が可能です。
また,POR(パワーオン・リセット)マクロが利用でき,リセット用ICを外部に用意する必要がありません。
アナログマクロの強化
D/Aコンバータ,A/Dコンバータマクロを強化しております。
- セットの周囲に存在するアナログ信号を取り込み,セットの小型化・消費電力の削減を行うことが可能です。
9種類のD/Aコンバータ,7種類のA/Dコンバータをラインアップしております。
- 高速D/Aコンバータでは用途に応じた複数チャネル版マクロを用意しております。リリース状況はお問合せください。
D/Aコンバータ,A/Dコンバータのラインアップはこちら
特長
- 0.35 μm CMOSプロセス,3/4層配線のチャネルレス構造(SOG)の高密度,高速エンベデッドアレイ
- 電源電圧 3.3V(5Vフルスィングバッファあり)
- ユーザブル・ゲート数で9,700~1,500,000ゲートに対応
- 内部回路の空きエリアを容量セルで埋めたり,内部回路とI/O部の電源線を分離することにより,EMIノイズを低減
- SSCGマクロとの併用により,さらなるEMIノイズ低減が可能
用途
- 中/大規模RAMマクロ込みのゲートアレイ
- 3.3 V単一駆動の中/大規模システム
- 3.3 V/5 V混在の中/大規模システム
- 3.3 V単一,または3. 3V/ 5V混在の各種I/F回路
活用事例
基本仕様
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項目
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仕様
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プロセス
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0.35 μm CMOSプロセス
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使用可能ゲート数
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9,700~1,500,000ゲート
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電源電圧
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3.3±0.3V,3.3±0.165V,3.0±0.3V
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遅延時間
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内部ゲート
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131 ps(ファンアウト:1,標準配線長)
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パワー・ゲート
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107 ps(ファンアウト:1,標準配線長)
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入力バッファ
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229 ps(ファンアウト:2,標準配線長)
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出力バッファ
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1.396 ps(IOL=9 mA,CL=15 pF)
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システム・クロック周波数
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100 MHz
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出力駆動能力
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IOL=1,2,3,6,9,12,18,24 mA
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動作周囲温度
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TA=-40~85℃
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入出力バッファ
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3.3 V系,5 Vフルスイング *1,PCI,GTL+,発振ブロック(MHz帯,KHz帯)
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メモリ・マクロ
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・同期高速2ポート・コンパイルRAM ・同期高密度1/2ポート・コンパイルRAM,ROM
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メガマクロ
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・シリアル・コントロール・ユニット ・プログラマブル・タイマ・カウンタ ・インタラプト・コントロール・ユニット ・UART ・POR(パワーオン・リセット)
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テスト関連
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SCAN,BSCAN
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その他のマクロ
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CTS,DPLL(位相制御用,逓倍用),APLL(位相制御用,逓倍用),SSCG
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注釈(*)
ドキュメント
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パンフレット

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資料名
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言語
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資料番号
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データ
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EA-9HDシリーズパンフレット
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日本語
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A13163J
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英語
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A13163E
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マニュアル・ブロックライブラリ

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資料名
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言語
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資料番号
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ダウンロード
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設計マニュアル
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日本語
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A13282JJ8V3DM00
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英語
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A13282EJ8V3DM00
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設計マニュアル メモリ・マクロ編
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日本語
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A13367JJ5V0DM00
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英語
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A13367EJ5V0DM00
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設計マニュアル メガマクロ編 (CMOS-9HDと共通)
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日本語
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A13941JJ8V1DM00
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英語
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A13941EJ8V1DM00
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ブロック・ライブラリ (CMOS-9HDと共通) (BoundaryScan, ScanPathを含む)
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日本語
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A13052JJ7V1BL00
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英語
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A13052EJ7V1BL00
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ブロック・ライブラリ メモリ編 (CMOS-9HDと共通)
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日本語
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A13071JJ4V0BL00
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英語
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A13071EJ4V0BL00
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