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EA-9HDシリーズ


  • CMOS-N5 5V系
  • CMOS-9HD 3.3V系
  • EA-9HD 3.3V系
  • CMOS-10HD 2.5/1.8V系
  • CMOS-12M 1.5V系

製品概要マスタ/パッケージラインアップ

EA-9HDシリーズ 製品概要

0.35 µmのCMOSプロセスを採用した,3/4層配線,チャネルレス構造(SOG)の高密度,高速エンベデッドアレイです。
各種高機能コアを搭載可能で,セルベースICより低開発費,短TATが実現できます。
EMIノイズ低減用の容量セルを搭載可能,さらにSSCG(スペクトラム拡散クロック・ジェネレータ)マクロとの併用により,さらなるEMIノイズ低減が可能です。
また,POR(パワーオン・リセット)マクロが利用でき,リセット用ICを外部に用意する必要がありません。




アナログマクロの強化

D/Aコンバータ,A/Dコンバータマクロを強化しております。

  • セットの周囲に存在するアナログ信号を取り込み,セットの小型化・消費電力の削減を行うことが可能です。

9種類のD/Aコンバータ,7種類のA/Dコンバータをラインアップしております。

  • 高速D/Aコンバータでは用途に応じた複数チャネル版マクロを用意しております。リリース状況はお問合せください。

D/Aコンバータ,A/Dコンバータのラインアップはこちら



特長

  • 0.35 μm CMOSプロセス,3/4層配線のチャネルレス構造(SOG)の高密度,高速エンベデッドアレイ
  • 電源電圧 3.3V(5Vフルスィングバッファあり)
  • ユーザブル・ゲート数で9,700~1,500,000ゲートに対応
  • 内部回路の空きエリアを容量セルで埋めたり,内部回路とI/O部の電源線を分離することにより,EMIノイズを低減
  • SSCGマクロとの併用により,さらなるEMIノイズ低減が可能

用途

  • 中/大規模RAMマクロ込みのゲートアレイ
  • 3.3 V単一駆動の中/大規模システム
  • 3.3 V/5 V混在の中/大規模システム
  • 3.3 V単一,または3. 3V/ 5V混在の各種I/F回路

活用事例


基本仕様

項目 仕様
プロセス 0.35 μm CMOSプロセス
使用可能ゲート数 9,700~1,500,000ゲート
電源電圧 3.3±0.3V,3.3±0.165V,3.0±0.3V
遅延時間 内部ゲート 131 ps(ファンアウト:1,標準配線長)
パワー・ゲート 107 ps(ファンアウト:1,標準配線長)
入力バッファ 229 ps(ファンアウト:2,標準配線長)
出力バッファ 1.396 ps(IOL=9 mA,CL=15 pF)
システム・クロック周波数 100 MHz
出力駆動能力 IOL=1,2,3,6,9,12,18,24 mA
動作周囲温度 TA=-40~85℃
入出力バッファ 3.3 V系,5 Vフルスイング *1,PCI,GTL+,発振ブロック(MHz帯,KHz帯)
メモリ・マクロ ・同期高速2ポート・コンパイルRAM
・同期高密度1/2ポート・コンパイルRAM,ROM
メガマクロ ・シリアル・コントロール・ユニット
・プログラマブル・タイマ・カウンタ
・インタラプト・コントロール・ユニット
・UART
・POR(パワーオン・リセット)
テスト関連 SCAN,BSCAN
その他のマクロ CTS,DPLL(位相制御用,逓倍用),APLL(位相制御用,逓倍用),SSCG

注釈(*)


ドキュメント

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パンフレット


資料名 言語 資料番号 データ
EA-9HDシリーズパンフレット 日本語 A13163J PDF
英語 A13163E PDF

マニュアル・ブロックライブラリ


資料名 言語 資料番号 ダウンロード
設計マニュアル 日本語 A13282JJ8V3DM00
英語 A13282EJ8V3DM00
設計マニュアル メモリ・マクロ編 日本語 A13367JJ5V0DM00
英語 A13367EJ5V0DM00
設計マニュアル メガマクロ編
(CMOS-9HDと共通)
日本語 A13941JJ8V1DM00
英語 A13941EJ8V1DM00
ブロック・ライブラリ
(CMOS-9HDと共通)
(BoundaryScan, ScanPathを含む)
日本語 A13052JJ7V1BL00
英語 A13052EJ7V1BL00
ブロック・ライブラリ メモリ編
(CMOS-9HDと共通)
日本語 A13071JJ4V0BL00
英語 A13071EJ4V0BL00



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