サイトマップ  お問い合わせ

CMOS-10HDシリーズ

CMOS-10HDシリーズ　製品概要

0.25µmのCMOSプロセスを採用した，3/4層配線，チャネルレス構造（SOG）の低消費電力（0.042 µW/MHz/ゲート（Vdd=1.8 V）），高速（133 MHz）ゲートアレイです。
高速I/Oバッファ（LVDS，SSTL2，SSTL3，PECL，PCI，GTL+）を用意しています。内部電源電圧2.5/1.8 Vの低電圧に対応しており，単電源および2電源の2種類の電源ライン・マスタを用意しています。
SI（Signal Integrity）を考慮したデバイス・アーキテクチャ，および開発環境の対応により，設計の収束性が大幅に向上しています。

特長

用途

活用事例

基本仕様

ドキュメント

---

特長

用途

活用事例

基本仕様

項目 仕様 プロセス 0.25 μm CMOSプロセス 使用可能ゲート数 6,793～1,563,000ゲート 電源電圧 単電源 2.5±0.2V，1.8±0.15V 2電源 内部：2.5±0.2V，1.8±0.15V 入出力：3.3±0.3V，2.5±0.2V，1.8±0.15V 遅延時間 内部ゲート 163 ps（内部電源電圧：1.8 V，ファンアウト：1，標準配線長） 113 ps（内部電源電圧：2.5 V，ファンアウト：1，標準配線長） パワー・ゲート 139 ps（内部電源電圧：1.8 V，ファンアウト：1，標準配線長） 91 ps（内部電源電圧：2.5 V，ファンアウト：1，標準配線長） 入力バッファ 243 ps（内部電源電圧：1.8 V，1.8 V入力バッファ，ファンアウト：1，標準配線長） 173 ps（内部電源電圧：2.5 V，2.5 V入力バッファ，ファンアウト：1，標準配線長） 出力バッファ 1246 ps（内部電源電圧：1.8 V，1.8 V出力バッファ，IOL=12 mA，CL=15 pF） 776 ps（内部電源電圧：2.5 V，2.5 V出力バッファ，IOL=12 mA，CL=15 pF） システム・クロック周波数 内部電源電圧2.5 V時：133 MHz 内部電源電圧1.8 V時：66 MHz（回路構成に依存） 出力駆動能力 IOL=1，2，3，6，9，12，18，24 mA 動作周囲温度 TA=-40～85℃ 入出力バッファ 1.8 V系，2.5 V系，3.3 V系，LVDS，SSTL2/3，PECL，PCI，GTL+ メモリ・マクロ 同期高速1ポート，2ポート・コンパイルRAM メガマクロ ・プログラマブルDMAコントローラ ・シリアル・コントロール・ユニット ・プログラマブル・タイマ・カウンタ ・パラレル・インタフェース・ユニット ・インタラプト・コントロール・ユニット ・UART ・PCI テスト関連 SCAN，BSCAN その他のマクロ CTS，DPLL（位相制御用, 逓倍用），SSCG

ドキュメント

以下より設計用ドキュメントをダウンロードすることができます。
設計用ドキュメントは常に最新版をお使いいただきたく，ダウンロードの際にユーザ登録をお願いしております。
各種ファイルのダウンロード方法はこちら

カギ付アイコンのドキュメントをダウンロードするにはユーザ登録が必要です。
ユーザ登録，変更　/　メールマガジン配信登録はこちらから。

パンフレット 資料名 言語 資料番号 データ CMOS-10HDシリーズパンフレット 日本語 A15416J 英語 A15416E

マニュアル・ブロックライブラリ 資料名 言語 資料番号 ダウンロード 設計マニュアル 日本語 A15308JJ6V1DM00 英語 A15308EJ6V1DM00 設計マニュアル　メガマクロ編 日本語 A15948JJ2V0DM00 英語 A15948EJ2V1DM00 ブロック・ライブラリ （BoundaryScan, ScanPathを含む） 1.8V 日本語 A15259JJ4V0BL00 英語 A15259EJ4V0BL00 2.5V 日本語 A15307JJ4V0BL00 英語 A15307EJ4V0BL00

---

ゲートアレイ製品に関するお問い合わせ

詳細検索機能/特性検索