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MOSFET

UMOS5とSJ-UMOS(スーパージャンクションUMOS 以下SJ-UMOS)は最先端のプロセス*1で、UMOS5は設計ルール0.25μm、SJ-UMOSは設計ルール0.35μmを採用しています。
*1：UMOS構造：トレンチ

Type No.	Package	VDSS (V)	ID (A)	RDS(on) VGS=10V MAX. (mΩ)
NPシリーズ　4品種*	TO-263(MP25ZP)	40	110	1.75
		55	110	2.35
		40	110	2.2
		55	110	3.1

*：当製品は開発中です。予告なしに内容を変更することがあります。

Type No.	Package	VDSS (V)	VGSS (V)	RDS(on) VGS=4.5V TYP./MAX. (mΩ)	RDS(on) VGS=4.0V TYP./MAX. (mΩ)	RDS(on) VGS=2.5V TYP./MAX. (mΩ)	Ciss TYP. (pF)	Crss TYP. (pF)	QG TYP. (nC)
UPA2450C	6PIN HWSON	20	±12	12.5/17.5	13.0/18.5	18.0/27.5	564	64	6.0
UPA2451C	6PIN HWSON	30	±12	17.5/17.5	18.0/21.0	25.5/32.0	564	64	6.0
μPA2350B*	6PIN HWSON	20	-	-/35	-/37	-/55	-	-	-
μPA2352B*	6PIN HWSON	24	-	-/43	-/45	-/67	-	-	-
μPA2353*	6PIN HWSON	20	-	-/35	-/-	-/47	-	-	-
μPA2354*	6PIN HWSON	24	-	-/43	-/-	-/57	-	-	-

*：当製品は開発中です。予告なしに内容を変更することがあります。

高耐圧パッケージが必須条件となるカーエレクトロニクス分野，小型パッケージが必須条件となる携帯電話をはじめとする各種モバイル機器分野，いずれも最先端のパッケージテクノロジーが要求されます。