CBLite®

CBLite 製品概要

特徴

基本仕様

ユーザブル・ゲート数

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特徴

現在のセルベースICにおいて，端子配置や搭載IPなどは，かなり自由に設計できます。しかし，その反面，個別品種ごとに実現性検討が必要，IPコアや製造治工具の専用化など，開発費を押し上げる要因になっています。
そこで，CBLiteでは電源端子やPLL端子の配置を固定し，搭載IPコアやEDAツールは実績のあるものを使用するなどの制約を設けることにより，開発手法，生産ラインを標準化しています。これにより，開発費（初期投資）を大幅に削減でき，生産数量の少ない製品にもセルベースICを採用できるようになりました。

基本仕様

シリーズ名 CBLite-12 製品名 μPD8008xx テクノロジ 0.15 μm CMOSプロセス 電源電圧 内部 1.5 V I/O部 3.3 V または 2.5 V 搭載ゲート数（最小ステップ）*1 1,000 Kゲート 搭載ゲート数（最大ステップ）*1 3.4 Mゲート 最大システム周波数 133 MHz 消費電力（動作率：0.35） 0.013 μW/MHz/ゲート メモリ・タイプ 1port SRAM 2port（1R+1W）SRAM 2port（1RW+1RW）SRAM 3port（1W+2R）SRAM 6port（2W+4R）SRAM ROM パッケージ PBGA，FPBGA，LQFP 搭載IPコア*2 APLL：2個まで搭載可能（Skew，逓倍，SSCG） PCI，5VTol，LVDS，PECL（入力） 端子位置（VDD，GND，PLL） 位置固定（追加電源可，PLL2個搭載）

注釈(*)

ユーザブル・ゲート数

ユーザブル・ゲート数は，2入力NANDゲート換算です。
お客様のコアの使用状態，回路構成などによって，ユーザブル・ゲート数は変化します。この表に記載されている値は代表値です。

CBLite-12 (50μm Pad Pitch)

CBLite-12 (50μm CUP)

CBLite-12 (80μm Pad Pitch)

CBLite-12 (50μm Pad Pitch)

CBLite-12 (50μm CUP)

CBLite-12 (80μm Pad Pitch)

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セルベースIC 製品に関するお問い合わせ

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