CB-55

CB-55L 製品概要

特徴

基本仕様

IPコア

ユーザブル・ゲート数

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特徴

55 nm CMOSプロセスを採用した，先端セルベースICです。
低リーク電流と高速動作を実現した，High-k絶縁膜を使用したトランジスタを搭載しています。
従来のCB-90と比べ，同機能のLSIを約半分程度のチップサイズで実現しながら，1.0V動作ではリーク電流を約50%から25%に削減するとともに消費電力を約60%に削減，あるいは1.2V動作では動作速度を約20%向上します。
また，PLL，A/Dコンバータ，D/AコンバータなどのコモディティIPコアをはじめ，デジタルカメラ，デジタルビデオカメラなどの携帯端末機器向けに最適なUSB2.0，JPEG，DDR/DDR2，SDRAMインタフェースなどのIPコアを用意しており，低消費電力の携帯端末機器のシステム開発に最適です。

基本仕様

シリーズ名 CB-55L（1.0V版） CB-55L（1.2V版） 品名 μPD811xxx テクノロジ 55 nm CMOSプロセス 電源電圧 内部 1.0±0.1 V 1.2±0.1 V I/O部 3.3±0.3 V/2.5±0.2 V/1.8±0.15 V 搭載ゲート数（最小ステップ）*1 5 Mゲート 搭載ゲート数（最大ステップ）*1 100 Mゲート 最大システム周波数 233 MHz 450 MHz 消費電力 (動作率：0.35) 1.0 nW/MHz/ゲート 1.4 nW/MHz/ゲート メモリ（容量） 1port SRAM 2～128ビット，16～16 Kワード 2port(1R+1W) SRAM 2～128ビット，32～4 Kワード 2port(1RW+1RW) SRAM 2～128ビット，16～8 Kワード ROM 2～128ビット，128～8 Kワード パッケージ FPBGA，PBGA，FCBGA

注釈(*)

IPコア

• アナログコア
• SRAM

ユーザブル・ゲート数

ユーザブル・ゲート数は，2入力NANDゲート換算です。
お客様のコアの使用状態，回路構成などによって，ユーザブル・ゲート数は変化します。この表に記載されている値は代表値です。

CB-55L 55μm inline CUP

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