本ウェブサイトでは、JavaScriptおよびスタイルシートを使用しております。
お客さまがご使用のブラウザではスタイルが未適応のため、本来とは異なった表示になっておりますが、
情報は問題なくご利用いただけます。
CB-40
CB-40のご紹介
| CB-40を実現するテクノロジ | CB-40ご採用のメリット | 先端プロセスの安定供給 |
| 先端セルベースICを支える設計手法 |
CB-40を実現するテクノロジ
CB-40ご採用のメリット
低消費電力と高速動作の両立
55nmセルベースIC「CB-55L」で量産実績のある，極薄High-kゲート絶縁膜を使用したトランジスタを採用することにより，リーク電流の削減と高速動作の両立を図っています。また，配線層間にはさらに進化したMPS porous Low-k絶縁膜を使用しています。これにより，動作電力の削減と，配線遅延の削減による動作速度の向上を図っています。
大規模メモリ搭載
CB-40では，従来シリーズで実績のあるeDRAMを用意します。
CB-55Lの2倍となる，最大512Mビットの大容量eDRAMを搭載できます。
eDRAM搭載のメリット
1.外付けメモリでは実現の難しい広バンド幅を実現可能
2.外部インタフェース回路が不要なため，消費電力が削減可能
チップサイズの縮小・搭載可能ロジックの増大
最先端40nmプロセス技術を使用することにより，従来品の2倍となる2億ゲートのロジック・ゲートを搭載可能です。
先端プロセスの安定供給の実現
先端プロセスの安定供給
NECエレクトロニクスの40nmプロセスでは，先端プロセスの安定供給を目的として，液浸露光装置を使用します。55nmプロセスより導入していますので，量産での実績は十分です。
生産体制
NECセミコンダクターズ山形300mmラインに40nmプロセス対応のラインを構築しました。当社40nmプロセスでは，多くの製造装置を55nmプロセスと共有化していますので，早期の量産ライン立ち上げが可能となっています。また，55nmプロセス製品との柔軟なプロダクト・ミックスが可能となっています。
先端セルベースIC開発を支える設計手法
先端設計環境により余分な設計マージンを削減
CB-40の設計環境として，当社では各種統計的設計手法を提供します。
これにより，余分な設計マージンを削減し，先端プロセスの能力を最大限に引き出すことができます。
大規模LSI対応
CB-40では，ロジック規模が数十Mgate 以上の大規模LSIが実現可能です。このような大規模LSIの開発を可能とする，部分的階層設計手法をはじめとする各種設計手法を提供いたします。
