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近年,プロセスの微細化に伴い,高精度なLSI製造技術が求められています。
NECエレクトロニクスでは,高精度な製造を考慮した設計を行うことによって,お客さまの満足する品質のLSIを供給いたします。
具体的には,マスクの光近接効果補正(OPC:Optical Proximity effect Correction)や,マルチカットViaに代表される,DFY(Design For Yield) / DFM(Design For Manufacturing)の導入を行っています。
大規模化する最近のLSIでは,ビア(Via)の数が増加し,Viaの品質がLSIの品質に影響を与えるようになってきています。
NECエレクトロニクスでは,従来よりさらに製造品質を向上し,不具合の発生を抑えるために,ダブルカットビア(Double Cut Via)技術を導入しています。
具体的には,チップ・サイズやレイアウトTATに影響が出ない範囲で配線間の接続にダブルカットビアを使用します。これにより,歩留まりを向上させ,故障を未然に防止することができます。
NECエレクトロニクスでは,微細化されたプロセスでの製造品質の向上のため,マスク・パタン作成にOPC(光近接効果補正)処理技術を導入しています。
具体的には,マスク・パタンに対して事前にウェハ作成時の結果を考慮するような処理です。
プロセスの微細化に伴い,配線等のメタルの粗密を考慮する必要性が一段と高まってきています。
NECエレクトロニクスでは,レイアウト段階でメタル密度の平坦化を実施し製造品質をより向上させています。
大規模化するLSIではSRAMの容量も増加しており,SRAMの製造品質をより向上する必要があります。
NECエレクトロニクスでは,冗長ビットを含み,不具合箇所を電気溶断型ヒューズにより修正が可能なリダンダントSRAM(冗長ビット付SRAM)を用意しています。