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先端LSI開発へのソリューション
LSIの開発は90 nmや55 nmの世代となり，技術的要望，実現手法の双方の難易度が上がってきています。
NECエレクトロニクスでは，お客様の要望にお応えできるよう，新しい技術や考え方の導入を積極的に行っています。
UltimateLowPower™設計技術
プロセスの微細化に伴い，スタンバイ・リーク電力が増大しています。これは，低電源電圧化の中で一定の性能を維持するため，Vth（しきい値電圧）およびゲート絶縁膜厚を小さくする必要があるためです。
UltimateLowPower™は，動作時の電力を抑えるとともに，スタンバイ・リーク電力も低減できる画期的な技術です。
この技術はNECエレクトロニクスが提供し，お客様の開発するLSIに導入しますので，お客様が特別な設計をする必要はありません。
UltimateLowPower™による低電力化効果
電源制御回路（遅延モニタ，電圧レギュレータ）により，基板バイアスを自動制御することで，チップ・レベルのリーク電力を当社従来比1/3にまで低減できます。さらに，バイアスに対する感度を高めた回路設計技術，およびHigh-Kゲート酸化膜を適用したトランジスタ技術とあわせて，チップ消費電力を1/30にまで低減します。
基板バイアス制御のため，お客様が特別な設計をする必要はありません。電源制御回路は，NECエレクトロニクスが提供し，お客様の開発するLSIに導入します。
チップ，パッケージを組み合わせたノイズ検証フロー
NECエレクトロニクスでは，LSI仕様作成時にパッケージング後の電気的特性を仮想的に検証できる，チップ，パッケージを含めたノイズ検証環境を開発しています。
この検証環境を使用することにより，LSI開発の構想設計段階で各種電気的特性を検証したうえで詳細設計を行うことができるため，再設計回数の低減，開発期間の短縮を実現でき，高品質なLSI を開発できます。
UltimateLowPowerは，NECエレクトロニクス株式会社の商標です。
GENISSNXは，株式会社NEC情報システムズの商標です。
