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eDRAM
eDRAMマクロ一覧
対応につきましては，当社にお問い合わせください。
UX6LD (90 nm, 1.2 V)
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Memory Size
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Configuration
(word x bit)*1
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Random Access
Cycle (tRCK)*2
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VDD
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Tj
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4 Mb
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32 Kw x 128 b
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100 MHz
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1.2 V ± 0.1 V
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0 ℃ - 105 ℃
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8 Mb
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64 Kw x 128 b
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100 MHz
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1.2 V ± 0.1 V
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0 ℃ - 105 ℃
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12 Mb
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48 Kw x 256 b
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83 MHz
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1.2 V ± 0.1 V
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0 ℃ - 105 ℃
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注釈(*)
- お客様のご要求があれば，コンフィギュレーション変更したカスタムマクロも供給いたします。
- ランダムアクセスサイクル(tRCK)はワースト条件時の数値です。VDD=1.1 V, Tj=105 ℃
UX5D (130 nm, 1.2 V)
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Memory Size
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Configuration
(word x bit)*1
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Random Access
Cycle (tRCK)*2
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VDD
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Tj
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9 Mb
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64 Kw x 144 b
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200 MHz
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1.2 V ± 0.1 V
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0 ℃ - 105 ℃
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8 Mb
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64 Kw x 128 b
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200 MHz
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1.2 V ± 0.1 V
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0 ℃ - 105 ℃
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8 Mb
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128 Kw x 64 b
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200 MHz
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1.2 V ± 0.1 V
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0 ℃ - 105 ℃
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2.25 Mb
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16 Kw x 144 b
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200 MHz
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1.2 V ± 0.1 V
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0 ℃ - 105 ℃
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注釈(*)
- お客様のご要求があれば，コンフィギュレーション変更したカスタムマクロも供給いたします。
- ランダムアクセスサイクル(tRCK)はワースト条件時の数値です。VDD=1.1 V, Tj=105 ℃
UX4D (150 nm, 1.5 V)
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Memory Size
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Configuration
(word x bit)*1
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Random Access
Cycle (tRCK)*2
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VDD
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Tj
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8 Mb
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64 Kw x 128 b
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143 MHz
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1.5 V ± 0.1 V
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0 ℃ - 105 ℃
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8 Mb
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128 Kw x 64 b
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100 MHz
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1.5 V ± 0.1 V
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0 ℃ - 105 ℃
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4 Mb
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64 Kw x 64 b
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100 MHz
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1.5 V ± 0.1 V
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0 ℃ - 105 ℃
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注釈(*)
- お客様のご要求があれば，コンフィギュレーション変更したカスタムマクロも供給いたします。
- ランダムアクセスサイクル(tRCK)はワースト条件時の数値です。VDD=1.4 V, Tj=105 ℃
