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製品情報 > ASIC > セルベースIC > 製品ラインアップ >

CB-9VX/VM（特徴・基本仕様）


特徴

0.35 μm CMOSプロセスを採用したセルベースICです。
CB-9VXは3.3V単一電源です。CB-9VMは内部3.3V，I/O部は5Vの2電源対応製品で5Vフルスイング信号の入出力を持ちます。ユーザブル・ゲート数は約80Kゲートから1Mゲートまでのステップを準備しており，最適なサイズの製品を選べます。インダストリ分野など5Vインタフェースを必要とするアプリケーションに最適です。


基本仕様

シリーズ名 CB-9
タイプ名 VXタイプ VMタイプ
品名 μPD82200 μPD82600
テクノロジ 0.35 μm CMOSプロセス
電源電圧 内部 3.3 V 3.3 V
I/O部 3.3 V 3.3 V/5 V
搭載ゲート数（最小ステップ）*1 79 Kゲート 60 Kゲート
搭載ゲート数（最大ステップ）*1 965 Kゲート 940 Kゲート
最大システム周波数 70 MHz
消費電力 0.3 μW/MHz/ゲート
メモリ（容量） 1port HS SRAM 1～32ビット，32～2 Kワード
1port Super HS SRAM 1～16ビット，64～1 Kワード
1port HD SRAM 1～32ビット，32～8 Kワード
2port HS SRAM 1～32ビット，32～2 Kワード
2port HD SRAM 1～32ビット，32～1 Kワード
2port Resister File 4～64ビット，8～512ワード
固定容量 1port SRAM 16ビット×2 Kワード～16ビット×16 Kワード（4種類）
HS ROM 1～64ビット，64～8 Kワード
Line Buffer 8ビット×7,504ワード
パッケージ QFP，FPBGA，PBGA


注釈(*)

  1. 搭載ゲートは，チップにロジック・ゲートのみを搭載したときの最大ユーザブル・ゲート数（平均値）です。
    回路構成や搭載コアの種類，個数により大きく変わることがあります。