ノート・パソコン

CPUの高クロック化、インタフェースの高速化によりノートPCの回路消費電力の増加は時を追うごとに加速しています。一方、バッテリー持続時間や携帯性に優れた製品のニーズにより、電源回路部の低損失化やパワーマネジメントの重要性は年々高まってきています。当社では、これらの電源回路やパワーマネジメントスイッチに適したMOSFETをラインアップして、セットの低消費電力化に貢献します。
また、静電気保護素子としてNSADシリーズとNNCDシリーズを提供。NSADシリーズは高速インタフェースでの利用に適し、小さな端子間容量で高速データ転送に影響のない静電気保護を実現します。フラット・リード・パッケージを採用したNNCDシリーズは、高密度実装が求められる小型機器のESD保護に適し、パッケージ最大高さは0.5mm。2ピンで50％、5ピンで38％（当社超小型ミニモールド比）の実装面積削減が可能です。

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ロードマップ・回路図

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パワーMOSFET

8pin HVSON Power MOSFET Series

P-channel Single

Type No. VD SS [V] VG SS [V] ID (DC) [A] PT1 (W) Tc=25 PT2 (W) Ta=25 10s RDS(on)max (mohm) Ciss (pF) QG (nC) (VGS)-10V at 10V at 4.5V μPA2731UT1A -30 ±20 ±44 - 4.6 3.3 6.4 3620 149 μPA2732UT1A -30 ±20 ±40 - 4.6 3.7 6.7 3280 133

8pin HSOP Power MOSFET Series

N-channel Single

Type No. VD SS [V] VG SS [V] ID (DC) [A] PT1 (W) Tc=25 PT2 (W) Ta=25 10s RDS(on)max (mohm) Ciss (pF) QG (nC) (VGS)=5V at 10V at 4.5V μPA2707TP 30 ±20 ±42 40 3 4.3 5.6 6600 52 μPA2708TP 30 ±20 ±42 35 3 5.5 7.5 4700 38 μPA2701TP 30 ±20 ±35 28 3 7.5 11.6 1200 12 μPA2702TP 30 ±20 ±35 22 3 9.5 15.1 900 9 μPA2706TP 30 ±20 ±20 15 3 15 22.5 660 7.1

P-channel Single

Type No. VD SS [V] VG SS [V] ID (DC) [A] PT1 (W) Tc=25 PT2 (W) Ta=25 10s RDS(on)max (mohm) Ciss (pF) QG (nC) (VGS)=10V at 10V at 4.5V μPA1730TP -30 ±20 ±28 40 3 9.5 13.5 3800 70 μPA2730TP -30 ±20 ±42 40 3 7 10.5 4600 97

8pin SOP Power MOSFET Series

N-channel Single

Type No. VD SS [V] VG SS [V] ID (DC) [A] RDS(on)max (mohm) Ciss (pF) QG (nC) (VGS)=5V at 10V at 4.5V μPA2707GR 30 ±20 ±19 4.3 5.6 6600 52 μPA2708GR 30 ±20 ±17 5.5 7.5 4700 38 μPA2701GR 30 ±20 ±14 7.5 11.6 1200 12 μPA2706GR 30 ±20 ±11 15 22.5 660 7.1 μPA2709GR 30 ±20 ±13 10.5 15 1200 11

N-channel Single+Schottky

Type No. VD SS [V] VG SS [V] ID (DC) [A] RDS(on)max (mohm) Ciss (pF) QG (nC) (VGS)=5V VF max (V) IF=1A at 10V at 4.5V μPA2780GR 30 ±20 ±14 7.5 11.6 1300 12 0.5 μPA2781GR 30 ±20 ±13 9.5 15.1 1000 9 0.5 μPA2782GR 30 ±20 ±11 15 22.5 650 7.1 0.5

8pin SOP Power MOSFET Series

P-channel Single

Type No. VD SS [V] VG SS [V] ID (DC) [A] RDS(on)max (mohm) Ciss (pF) QG (nC) (VGS)=10V at -10V at -4.5V μPA2715GR -30 ±20 ±18 4.6 9.0 3500 120 μPA2717GR -30 ±20 ±15 5.5 9.4 3550 130 μPA2716GR -30 ±20 ±14 7.0 8.9 3000 95 μPA2718GR -30 ±20 ±13 9.0 14.5 2810 67 μPA2719GR -30 ±20 ±10 13 20.9 2010 43 μPA2713GR -30 ±20 ± 8 16 25 1640 35 μPA2714GR -30 ±20 ± 7 20 30 1370 31 μPA2733GR -30 ±20 ± 5 40 53 840 18 μPA1717 -30 ±25 ± 6 33 59 830 15

8pin SOP Power MOSFET Series

N-channel Dual

Type No. VD SS [V] VG SS [V] ID (DC) [A] RDS(on)max (mohm) Ciss (pF) QG (nC) (VGS)=10V at 10V at 4.5V at 2.5V μPA2750GR 30 ±20 ±9 15.5 21 - 1040 21 μPA2751GR 30 ±20 ±9 15.5 21 - 1040 21 30 ±20 ±8 23 35 - 480 10 μPA2755GR 30 ±20 ±8 18 29 - 650 13 μPA2754GR 30 ±12 ±11 - 14.5 18.6 1940 25*1

*1:VGS=4.5V

P-channel Dual

Type No. VD SS [V] VG SS [V] ID (DC) [A] RDS(on)max (mohm) Ciss (pF) QG (nC) (VGS)=10V at 10V at 4.5V at 2.5V μPA1750 -20 ±20 ±3.5 90 180*1 - 540 18 μPA1770 -20 ±12 ±6 - 37 59 1300 11 μPA1772 -20 ±20 ±8 20 29.5 - 1500 34

*1:@-4V

8pin HWSON Series

Type No. Config VD SS [V] VG SS [V] ID (DC) [A] PT (W) # Ron1 (mohm) typ/max at10V Ron1 (mohm) typ/max at4.5V Ciss (pF) typ VDS=10V Crss (pF) typ VDS=10V QG (nC) typ (VGS) μPA2502 Nch Single 30 ±20 ±13 2.7 9.4/12.0 13.2/18.0 760 110 9(5V) μPA2503 ±16 2.7 7.5/9.5 11.0/15.1 1200 190 15(5V) μPA2510 Pch Single -30 ±20 ±18 2.7 7.5/10.1 9.5/14.0 3000 500 70 (-10V)

Wireless bonding product
#FR-4 Board of 25㎝2, PW<10sec.

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NNCD（ノイズ・クリッピング・ダイオード：ESD対策部品）

区分 表面実装タイプ 許容 損失 200mW ESD 耐量 8kVmin 30kVmin 容量 10pFtyp 20pFtyp シリ ーズ NNCD[　]LG NNCD[　]LH NNCD[　]RL NNCD[　]MF NNCD[　]MG 降 伏 電 圧 5.6V NNCD5.6LG NNCD5.6LH - - NNCD5.6MG 6.2V NNCD6.2LG NNCD6.2LH - NNCD6.2MF NNCD6.2MG 6.8V NNCD6.8RG NNCD6.8RH NNCD6.8RL - NNCD6.8MG パッケ ージ SC-74A (クワッド) SC-88B (クワッド) 5pin×SOF (クワッド) SC-59 (デュアル) SC-74A (クワッド)

キーデバイスのご紹介