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マザーボードに搭載する、低オン抵抗で小型のパワーMOSFETを豊富に取り揃えております。0.25μmプロセス「UMOS4」を採用することにより、従来製品に比べ、オン抵抗、ゲート電荷量の低減を実現しました。小型パッケージTO-251、TO-252に搭載しており、マザーボードのCPU電源用に最適です。
また、CPUの高クロック化、インタフェースの高速化が年を追うごとに加速しているデスクトップ・パソコン分野では、ESD対策が不可欠になっています。当社では、静電気保護素子としてNSDAシリーズとNNCDシリーズを提供。NSDAシリーズは高速インタフェースでの利用に適し、小さな端子間容量で高速データ転送に影響のない静電気保護を実現します。フラット・リード・パッケージを採用したNNCDシリーズは、高密度実装が求められる小型機器のESD保護に適し、パッケージ最大高さは0.5mm。2ピンで50%、5ピンで38%(当社超小型ミニモールド比)の実装面積削減が可能です。
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| Part number | NSAD500F | NSAD500S | NSAD500H |
|---|---|---|---|
| Elements | 2 diodes![]() |
2 diodes![]() |
4 diodes![]() |
| Package | SC-59 | SC-70 | SC-88A |
| item | symbol | rating | unit | remark |
|---|---|---|---|---|
| Power dissipation | P | 200 (S-type:150) | mW | total |
| Junction temperature | Tj | 150 | ℃ | - |
| Strage temperature | Tstg | -55~ +150 | ℃ | - |
| Break over Voltage VBO (V) |
Capacitance Ct (pF) |
Reverse current IF (uA) |
ESD [*1] (kV) |
<reference> Forward Break over Voltage |
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Min | TYP | TYP | condition | MAX | VF(V) | MIN | Condition | |
| 5.3 | 8 | 3.5 | VR=0V f=1MHz |
0.1 | 3.0 | 8 | C=150pF R=330Ω Contact discharge |
10V TYP |
ESD耐量を15kV以上を保証し低端子間容量で高速信号ラインを保護します。
| 区分 | 表面実装タイプ | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 許容 損失 |
200mW | |||||
| ESD 耐量 |
8kVmin | 30kVmin | ||||
| 容量 | 10pFtyp | 20pFtyp | ||||
| シリ ーズ |
NNCD[ ]LG | NNCD[ ]LH | NNCD[ ]RL | NNCD[ ]MF | NNCD[ ]MG | |
| 降 伏 電 圧 |
5.6V | NNCD5.6LG | NNCD5.6LH | - | - | NNCD5.6MG |
| 6.2V | NNCD6.2LG | NNCD6.2LH | - | NNCD6.2MF | NNCD6.2MG | |
| 6.8V | NNCD6.8RG | NNCD6.8RH | NNCD6.8RL | - | NNCD6.8MG | |
| パッケ ージ |
SC-74A (クワッド) |
SC-88A (クワッド) |
5pin×SOF (クワッド) |
SC-59 (デュアル) |
SC-74A (クワッド) |
|
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| USB2.0[480Mbps] | IEEE1394a[400Mbps] |
|---|---|
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| Specifications of input data Cin=CDr+Ct<10pF Voltage Low level=-50mV High level=+600mV |
Specifications of input data Cin=4pF(max) Voltage Low level=0 to 0.7V High level=2.4V to Vcc+10% |