MA-9シリーズ（特徴・基本仕様）
特徴
最先端0.35μmBiCMOSプロセスの採用により、高速デジタル回路と高精度・高性能アナログ回路の1チップ化を実現。低電圧動作プロセス(3.3 V)の採用によりLSIの低消費電力化を実現。
基本仕様
ロジック部
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品名
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μPD681xx
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プロセス
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0.35μm BiCMOSプロセス
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電源電圧
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3.3V±0.3V（I/O部・内部ゲート）
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最大集積度（ロジックのみ）
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1.7Mゲート（ユーザブル）
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インタフェース・レベル
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LVTTL
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遅延時間
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内部ゲート *1
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114ps（TYP）
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入力バッファ *2
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169ps（TYP）
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出力バッファ *3
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864ps（TYP）
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注釈(*)
- 2入力NANDパワー・ゲート、ファンアウト2、標準配線長の場合の値です。
- ファンアウト2、標準配線長の場合の値です。
- 負荷容量15pF、lOL=18mAの場合の値です。
アナログ部
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品名
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μPD681xx
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プロセス
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0.35μm BiCMOSプロセス
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電源電圧
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3.3V±0.3V
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トランジスタ
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NPN型
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fT= 10GHz, hFE= 70（すべてTYP）
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PNP型（バーチカル型）
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fT= 2GHz, hFE= 30（すべてTYP）
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MOS
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アナログ回路用 N-ch型, P-ch型
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ポリシリコン抵抗*1
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絶対精度： ±20%， 相対精度： ±2%
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コンデンサ（MIM型）*1
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絶対精度： ±20%， 相対精度： ±2%
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注釈(*)
- 参考値を示します。相対精度は素子を隣接配置した場合にかぎります。
