ページの先頭です
本文へジャンプする

本ウェブサイトでは、JavaScriptおよびスタイルシートを使用しております。
お客さまがご使用のブラウザではスタイルが未適応のため、本来とは異なった表示になっておりますが、 情報は問題なくご利用いただけます。


MA-8Aシリーズ

基本仕様


ロジック部

品名 μPD680xx
プロセス 0.65μm BiCMOSプロセス
電源電圧 5.0V±0.5V(I/O部・内部ゲート)
インタフェース・レベル CMOS,TTL
遅延時間 内部ゲート*1 190ps(TYP)
入力バッファ*2 340ps(TYP)
出力バッファ*3 2.13ns(TYP)


注釈(*)

  1. 2入力NANDパワー・ゲート、ファンアウト、配線長0.6mm/1ピン・ペアの場合の値です。
  2. ファンアウト2、配線長0.6mm/1ピン・ペアの場合の値です。
  3. 負荷容量15pF、ブロック名FOO1の場合の値です。

アナログ部

品名 μPD680xx
プロセス 0.65μm BiCMOSプロセス
電源電圧 5.0V±0.5V
トランジスタ NPN型 fT= 10GHz, hFE= 80(すべてTYP)
PNP型(ラテラル型) fT= 10MHz, hFE= 70(すべてTYP)
MOS アナログ回路用 N-ch型, P-ch型
ポリシリコン抵抗*1 絶対精度: ±20%, 相対精度: ±2%(すべてMAX)
コンデンサ(MOS型)*1 絶対精度: ±15%, 相対精度: ±2%(すべてMAX)


注釈(*)

  1. 参考値を示します。相対精度は素子を隣接配置した場合にかぎります。