スーパージャンクション構造採用 パワーMOSFET

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耐圧性能を落とすことなく抵抗を下げられるスーパージャンクション構造を採用。従来プロセス品と同等クラスの耐圧、低オン抵抗を実現しながらゲート容量を40%低減したことでゲート駆動電流の低減に貢献します。

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サージ吸収　小型ツェナーダイオード

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静電気などのサージを吸収するダイオードに、従来品と同程度の許容損失を実現しながらパッケージサイズを約1/2に小型化した新シリーズが登場しました。対応電圧別に44品種をラインナップ。お客様の用途にあわせてお選びいただけます。

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パワーMOSFET 小型パッケージラインナップ

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携帯機器の電源回路やスイッチ回路に最適な小型サイズのパワーMOSFETにさらに小さいパッケージ（1.9×2.9mm）が新たに仲間入りしました。ラインナップが充実し、用途に合わせた選択が可能です。

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４チャンネル大電流LEDドライバIC

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大電流のLEDドライバ4チャンネル分を小型パッケージに集積した製品が新登場！４チャンネルのLEDを1チップでコントロールできるため、LEDによるイルミネーションや屋外ディスプレイなどの特殊照明システムの小型化に貢献します。

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パワーMOSFET 小型パッケージラインナップ

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携帯機器の電源回路やスイッチ回路に最適な小型サイズのパワーMOSFETが新登場！業界最高クラスの低オン抵抗を実現しながら、実装面積は約1/3に削減が可能です。

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